[发明专利]防反射膜的成膜方法、防反射膜和成膜装置

权利要求书

1.一种防反射膜的成膜方法，为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法，其特征在于，该方法包括：

在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和

在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。

2.根据权利要求1所述的防反射膜的成膜方法，其特征在于，所述第二反应性气体的氢气含量与所述第一反应性气体不同。

3.根据权利要求1所述的防反射膜的成膜方法，其特征在于，所述第二反应性气体的水蒸气含量与所述第一反应性气体不同。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的防反射膜的成膜方法，其特征在于，所述第二氧化铟类靶与所述第一氧化铟类靶相同。

5.根据权利要求1所述的防反射膜的成膜方法，其特征在于，所述第二成膜工序在与所述第一成膜工序相同的真空槽内将所述第一反应性气体置换为所述第二反应性气体来进行。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的防反射膜的成膜方法，其特征在于，所述第一氧化铟类靶和所述第二氧化铟类靶为添加有锡的氧化铟类靶、添加有钛的氧化铟类靶或添加有锌的氧化铟类靶。

7.一种防反射膜，其特征在于，为用权利要求1至6中任意一项所述的防反射膜的成膜方法得到的防反射膜，包括：

第一氧化铟类薄膜；和

第二氧化铟类薄膜，层压在该第一氧化铟类薄膜上，折射率与该第一氧化铟类薄膜不同。

8.根据权利要求7所述的防反射膜，其特征在于，所述第一氧化铟类薄膜和所述第二氧化铟类薄膜中至少一方的电阻率为5×10²μΩ·cm以下。

9.一种成膜装置，其特征在于，为在权利要求1至6中任意一项所述的防反射膜的成膜方法中使用的成膜装置，包括：

真空容器；

在该真空容器内保持靶的靶保持设备；和

对所述靶施加溅射电压的电源，

所述真空容器具备氢气导入设备、氧气导入设备和水蒸气导入设备中的两种以上。

10.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，在所述靶保持设备设置有在所述靶的表面产生强度最大值为600高斯以上的水平磁场的磁场产生设备。

11.根据权利要求9或10中的一项所述的成膜装置，其特征在于，在所述真空容器内设置有：旋转体，以轴为中心旋转，且在该旋转体外周面可装卸地支撑多个基材；和多个所述靶保持设备，与被该旋转体支撑的所述多个基材中的一个以上基材分别对置，

使所述旋转体以其轴为中心旋转，且使用被所述靶保持设备保持的靶进行溅射，从而在所述各基材上形成组成不同的多种膜。