[发明专利]RF电子元器件的烧结制造方法有效
| 申请号： | 200980136533.X | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102160130A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 柳秉勋;成元模;安元基 | 申请（专利权）人： | 株式会社EMW |
| 主分类号： | H01F1/11 | 分类号： | H01F1/11 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf 电子元器件 烧结 制造 方法 | ||
1.是一种烧结制造以亚铁盐构成的RF电子元器件的方法，其特征在于：在所述亚铁盐中添加海藻酸铵并烧结。
2.根据权利要求1所述的烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：所述亚铁盐具有尖晶石结构(spinel structure)。
3.根据权利要求1所述的烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：在所述亚铁盐中以3wt％的重量比添加所述海藻酸铵。
4.根据权利要求1所述的烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：所述亚铁盐在600℃至1400℃的温度范围烧结。
5.是一种烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：包括以3wt％称重海藻酸铵并与亚铁盐混合，添加水混合形成胶体的步骤；将所述胶体在85℃至95℃的温度范围干燥形成干燥物的步骤；将所述干燥物粉碎而生成覆盖所述海藻酸铵的亚铁盐粉体的步骤；将所述亚铁盐粉体压缩成形的步骤；烧结所述压缩成形的亚铁盐粉体的步骤。
6.根据权利要求5所述的烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：所述亚铁盐为MXFe(3-X)O4的组成；所述M为Mg或Co中的至少一个；所述X为1或2中的一个的尖晶石亚铁盐(spinel ferrite)。
7.根据权利要求5所述的烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：所述压缩成形的步骤对所述亚铁盐粉体施加2至6吨的负荷压力并压缩。
8.根据权利要求5所述的烧结制造RF电子元器件的方法，其特征在于：所述烧结的步骤在600℃至1400℃的温度范围实施。
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