[发明专利]废气处理方法及处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及去除从半导体制造装置、液晶面板制造装置、太阳能电池制造装置等具备利用CVD反应的薄膜形成装置的制造装置(以下在本发明中总称为半导体制造装置)排出的废气中的有害成分的废气处理方法和其处理装置。

本申请基于2008年9月8日在日本申请的日本特愿2008-230093号主张优先权，将其内容合并于此。

背景技术

图2是表示现有的这种废气处理装置的图。

半导体制造装置1在制膜工序时，从半导体制造装置1排出主要含有作为剩余原料气的SiH₄的废气。另外，半导体制造装置1在清洗工序时，从半导体制造装置1排出主要含有作为剩余清洗气的NF₃以及因清洗而生成的SiF₄的废气。

半导体制造装置1有时不限于1台，而是设置有多台，其中一部分在制膜工序，而其他的在清洗工序。

来自于半导体制造装置1的废气通过真空泵2送到燃烧式除害装置3。在设置多台半导体制造装置1和真空泵2的情况下，来自于多台半导体制造装置1的废气通过各自的真空泵2送到燃烧式除害装置3。

燃烧式除害装置3是将所述废气送到由空气燃烧器、氧燃烧器等燃烧器形成的火焰中，将废气中的上述有害成分氧化、分解的装置。

半导体制造装置1是制膜工序时，在燃烧式除害装置3中，废气中所含有的SiH₄变为SiO₂和H₂O。另外，半导体制造装置1是清洗工序时，在燃烧式除害装置3中，废气中所含有的NF₃变为HF和NO_X，SiF₄变为SiO₂和HF。

因此，从燃烧式除害装置3排出的废气，作为除去对象物质包含SiO₂和HF。该废气接着被送到袋式过滤器等集尘装置4中，作为固体粒子的SiO₂被捕集下来。在集尘装置4捕集SiO₂时，固体粒子的SiO₂被捕集在过滤器表面，并随着废气的流入而堆积起来。由于在废气中含有HF，因此该HF的一部分与SiO₂反应，再次生成少量的SiF₄。

从来自集尘装置4的含有HF和SiF₄的废气，通过鼓风机5吸引后送到气体洗净装置6。该气体洗净装置6也称作湿式洗涤器，是使将氢氧化钠水溶液等液碱性洗净液与废气进行气液接触，除去酸性气体的HF和SiF₄的装置。该气体洗净装置6可以根据需要做成两段结构以提高去除。

确认从气体洗净装置6排出的废气的有害成分在规定值以下，经鼓风机7排放到大气中。

然而，像这样的处理方法，在气体洗净装置6中，废气中的SiF₄加水分解后生成SiO₂和HF，HF与碱性洗净液的钠反应变为NaF。由于SiO₂和NaF为固体物，所以存在它们附着、堆积在气体洗净装置6内部的填充材、湿气分离器或洗净液循环泵内，由此成为气体洗净装置6的堵塞原因、泵故障原因的不良问题。

因此，在以往的装置中，必须将气体洗净装置6主体或循环泵频繁地分解清扫。

专利文献1：日本特开2004-188411号公报

专利文献2：日本特开2005-334755号公报

发明内容

因此，本发明的课题在于，在将来自半导体制造装置的废气依次送入燃烧式除害装置、集尘装置、气体洗净装置进行处理时，防止在气体洗净装置的内部吸附、堆积固体物，不发生堵塞气体洗净装置等的不良问题。

为了解决上述课题，本发明的第一实施方式为废气处理方法，是将来自半导体制造装置的废气导入燃烧式除害装置，接着送到集尘装置，进而送到两段结构的气体洗净装置进行处理的方法，

所述两段结构的气体洗净装置由第一段气体洗净装置和第二段气体洗净装置构成，在第一段气体洗净装置中以水作为洗净液进行气体洗净，接着，在第二段气体洗净装置以碱性水溶液作为洗净液进行气体洗净。

本发明的第二实施方式为废气处理装置，具备：将来自半导体制造装置的废气燃烧而除去有害物质的燃烧式除害装置；将来自该燃烧式除害装置的废气中的固体成分除去的集尘装置；以及对来自该集尘装置的废气进行洗净的两段结构的气体洗净装置，

所述两段结构的气体洗净装置由洗净液为水的第一段气体洗净装置和洗净液为碱性水溶液的第二段气体洗净装置构成。