[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200980133403.0 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102138227A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 名古肇;橘浩一;斋藤真司;原田佳幸;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基底层；以及
发光层，其形成于前述基底层上，并交替地层叠有由InAlGaN形成的势垒层和由InGaN形成的量子阱层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
前述势垒层，具有比前述量子阱层低的In组成。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
中间层，其设置于相互相邻的前述势垒层与前述量子阱层之间，由InGaN形成并且具有比前述量子阱层低的In组成。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
溢流防止层，其形成于前述发光层上，具有比前述势垒层高的Al组成。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
p-InuAlvGa1-u-vN(0≤u＜1，0＜v＜1)层，其形成于前述发光层上。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
前述基底层由GaN形成。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：
前述基底层，形成于基板的实质性的(0001)面上。
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