[发明专利]存储器件及其方法

说明书

技术领域

本公开内容一般地涉及具有电子器件的器件并且更特别地涉及具有带存储器的电子器件的器件。

背景技术

存在着在电子器件中使用较低电压以节约电力的趋势。随着器件速度增加，存储器件在操作电压过低时可能会遭遇到稳定性降低的问题。因此，在较高的电压下锁存数据的存储位单元的使用可以是有益的，并且将该存储单元接口连接至电子器件的其他部分的器件及方法会是有用的。

附图说明

通过参考附图，本公开内容可以得到更好的理解，并且使得其大量的特征和优点对本领域技术人员而言是明了的。

图1包括根据本公开的具体实施例的存储器件的框图。

图2包括根据本公开的具体实施例的图1的存储器件的一部分的框图。

图3包括根据本公开的具体实施例的图1和图2的一些部分的组合电路和框图。

图4包括根据本公开的具体实施例的存储器件的框图。

图5示出了根据本实施例的具有厚度不同的栅极电介质的晶体管。

具体实施方式

本申请公开了存储阵列，其中该阵列的每个存储位单元包括电平移位器。另外，每个存储位单元包括写端口，其具有可以包括p型场效应晶体管和n型场效应晶体管的通栅。p型场效应晶体管和n型场效应晶体管的控制电极被连接在一起作为共同节点的一部分。另外，p型场效应晶体管的电流电极以及n型场效应晶体管的电流电极被连接到一起以形成共同节点。本公开内容的各种实施例参考图1-5和以下讨论将得到更好地理解。

图1示出了包括含有存储器100的电子器件的器件10的一部分。存储器100包括存储阵列101、读控制部分102和写控制部分103。

包括存储器100的电子器件可以在各种电压水平下操作。例如，电子器件的一些部分，包括读控制部分102和写控制部分103，可以被设计为在称为Vdd_L的电压下操作，而电子器件的其他部分(例如存储阵列101的一些部分)被设计为在比Vdd_L更高的电压(称为Vdd_H)下操作。读控制部分102由互连108连接至存储阵列101，并且可用于读取存储于存储阵列101内的信息。写控制部分103由互连109连接至存储阵列101，并且可用于将信息存储于存储阵列101。应当理解，在此所描述的各种互连可以包括一个或更多个个体互连。

存储阵列101包括具有一个或更多个读端口以及一个或更多个写端口的多个存储单元，例如寄存器单元。存储阵列101的存储单元操作以实现：读模式；写模式；以及低功率模式，例如休眠模式。该多个存储位单元的每个存储单元在图1中被共同标记为“MC”，并且包括如图2所示的对应的存储单元、电平移位器、读端口和写端口。

参考图2，其中示出了存储单元的一部分，称为存储位单元11，该部分表示图1中的一个存储单元MC内与一位存储信息有关的部分。存储位单元11包括存储单元111、电平移位器112、写端口120和读端口130。存储位单元11的存储单元111可以通过在互连118处将信号维持于高电压电平(例如电压Vdd_H)，将信号维持于低电压电平(例如接地电位)，或者它们的组合来表示两个互补的二元状态之一而存储信息。例如，互连118可以表示一对个体互连，例如，存储节点，其中具体的逻辑状态通过在一个个体互连处维持高电压电平，并且通过在另一个体互连处维持低电压电平而存储于存储单元111，由此在任一互连处的电压电平都可以表示所存储的逻辑值。

存储位单元11的电平移位器112可以接收来自存储单元的具有高电压电平Vdd_H的信号并提供具有高电压电平Vdd_L的信号，其中该高电压电平Vdd_L具有与高电压电平Vdd_H不同的量级，例如，较低电压电平，但是这两个高电压电平都表示相同的逻辑状态。应当意识到，由电平移位器提供给互连117的信号的高电压电平被选择为处于写端口的操作容差之内以防止写端口的损坏和失效。在一个实施例中，VDD_H可以表示大约1.10伏的高电压电平，而Vdd_L可以表示大约0.90伏的高电压电平。