[发明专利]存储器件及其方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

包括多个存储位单元的存储阵列，所述多个存储位单元中的每个存储位单元包括：

存储信息位的存储单元；以及

电平移位器，包括：与所述存储单元耦接以在读操作期间接收表示存储于所述存储单元的所存储信息位的第一电压的第一节点；以及提供表示所存储信息位的第二电压的第二节点，其中所述第一电压的幅值不同于所述第二电压的幅值。

2.根据权利要求1所述的器件，其中每个存储位单元还包括：

写端口，包括在写操作期间接收要存储于所述存储位单元处的信息位的位线节点，接收在所述写操作期间被确证的写使能信号的写线节点，以及与所述电平移位器的所述第二节点耦接以接收表示要存储的所述信息位的第三电压的第一节点。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述写端口还包括：与所述存储单元的第一存储节点耦接以在所述写操作期间将表示要存储的所述信息位的第四电压传送到所述第一存储节点的第二节点。

4.根据权利要求2所述的器件，其中所述写端口还包括：包含第一电流电极、第二电流电极和控制电极的第一晶体管，其中所述第一晶体管是第一导电类型的晶体管，所述位线节点包括所述第一电流电极，并且所述写线节点包括所述控制电极。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述写端口还包括：包含第一电流电极、与所述第一晶体管的所述第二电流电极耦接的第二电流电极以及与所述写线节点耦接的控制电极的第二晶体管，其中所述第二晶体管是与所述第一导电类型相反的第二导电类型的晶体管。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述第一导电类型的所述晶体管是PFET晶体管，并且所述第二导电类型的所述晶体管是NFET晶体管。

7.根据权利要求4所述的器件，其中所述写端口还包括：包含第一电流电极、与所述第一晶体管的所述第二电流电极耦接的第二电流电极以及与所述写线节点耦接的控制电极的第二晶体管。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述电平移位器还包括：包含第一电流电极、第二电流电极和控制电极的第三晶体管，其中所述电平移位器的所述第一节点包括所述第一电流电极，所述电平移位器的所述第二节点包括所述第二电流电极。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述写端口还包括：包含第一电流电极、第二电流电极和与所述写端口的所述第一晶体管的所述第二电流电极耦接的控制电极的第四晶体管，其中所述写端口的所述第二节点包括第一电流电极，并且其中所述写端口的所述第二晶体管具有比所述第一晶体管薄的栅极电介质。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述电平移位器的所述第一节点与所述存储单元的第一存储节点耦接，并且所述写端口还包括：

与所述存储单元的第二存储节点耦接以在基于在所述位线节点处接收的信息的所述写操作期间将第四电压传送至所述第二存储节点的第二节点；以及

包含第一电流电极、第二电流电极以及与所述第一晶体管的所述第二电流电极耦接的控制电极的第四晶体管，其中所述写端口的所述第二节点包括所述第一电流电极。

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述第三电压表示第一逻辑值，并且第四电压表示与所述第一逻辑值互补的第二逻辑值。

12.根据权利要求1所述的器件，其中所述电平移位器还包括第二节点以接收低功率指示器，其中所述第二信号将响应于所述低功率指示器被否定而表示所述存储信息位，并且所述第二信号响应于所述低功率指示器被确证而不表示所述存储信息位。

13.根据权利要求1所述的器件，其中所述电平移位器还包括：包含第一电流电极、第二电流电极和控制电极的第一晶体管，其中所述第一节点包括所述第一电流电极，并且所述第二节点包括所述第二电流电极。