[发明专利]静电卡盘的使用极限判别方法无效
申请号: | 200980132402.4 | 申请日: | 2009-08-17 |
公开(公告)号: | CN102124554A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 井上永博 | 申请(专利权)人: | 爱发科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王轶;李伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 使用 极限 判别 方法 | ||
技术领域
本发明涉及对处理基板进行溅射等规定的处理时,为了保持处理基板而使用的静电卡盘的使用极限判别方法。
背景技术
以往,作为静电卡盘,公知一种具有第1电极、第2电极以及由包覆这些电极的电介质构成的包覆层,并且通过对第1和第2电极的两电极间施加电压,来对载置于包覆层的表面的处理基板进行吸附的静电卡盘。(例如,参照专利文献1)。并且,在处理基板是绝缘性基板的情况下,利用通过对第1和第2电极间施加电压而产生的梯度力使处理基板吸附在卡盘平板的表面,在处理基板是非绝缘性基板的情况下,利用通过对第1和第2电极间施加电压而产生的库仑力使处理基板吸附在卡盘平板的表面。
但是,在对被静电卡盘吸附的处理基板进行加热、冷却的情况下,由于处理基板与静电卡盘的热膨胀差,从而导致包覆层被处理基板摩擦而逐渐磨损。因此,以往,当利用静电卡盘吸附的处理基板的枚数成为规定的使用限度枚数时,则判断静电卡盘到达使用极限,并对静电卡盘进行更换。
然而,即使处理基板的枚数达到使用限度枚数,但包覆层并没磨损到一定程度的情况也常常出现。因此,希望有一种能够使静电卡盘的更换频率减少、使生产性提高,并且,更准确地判别静电卡盘的使用极限的方法。
专利文献1:日本特开2004-31502号公报
发明内容
本发明鉴于上述问题点而提出,目的在于提供一种能够准确判别静电卡盘是否达到使用极限的静电卡盘的使用极限判别方法。
为了解决上述课题,本发明是静电卡盘的使用极限判别方法,该静电卡盘具有第1电极、第2电极以及由包覆这些电极的电介质构成的包覆层,通过对第1和第2电极的两电极间施加电压,来对载置于包覆层的表面的处理基板进行吸附,其特征在于,在吸附处理基板的状态下对第1和第2两电极间流动的电流值进行检测,当检测出的电流值在规定的阈值以上时,则判别静电卡盘达到使用极限,所述阈值按照与静电卡盘接触的基板背面的电阻值不同的各种处理基板的每一种被设定为不同的值。
在此,当处理基板的吸附时流过第1和第2两电极间的电流值,随着包覆层的磨损而逐渐增加。因此,该电流值成为表示包覆层的磨损程度的参数,可以通过判别电流值是否在阈值以上,来判别包覆层的磨损是否达到极限,即,可以判别静电卡盘是否达到使用极限。但是,该电流值也根据与静电卡盘接触的基板背面的电阻值而变化,基板背面的电阻值越小该电流越大。因此,若唯一地规定了阈值,在基板背面的电阻值小的处理基板的情况下,则导致虽然静电卡盘未达到使用极限,但被错误地判别为达到使用极限。对此,在本发明中,由于对每一种上述那样基板背面的电阻值不同的各种处理基板均设定了不同值的阈值,所以可以准确地判别静电卡盘是否达到使用极限。
并且,若开始对处理基板的溅射等处理,则在第1和第2两电极间流动的电流值会因处理的影响而变动。因此,在本发明中,优选所述电流值是在处理基板的吸附后、且对处理基板的处理开始前所检测出的电流值。由此,根据在不产生基于处理的影响的电流变动的状态下检测出的电流值,可以判别静电卡盘是否达到使用极限,并且可以防止由于电流变动而导致的错误判别。
附图说明
图1是本发明方法的实施所使用的设备的概略构成图。
图2(a)是示意表示包覆层磨损前的ESC电流的流动方式的图,(b)是示意表示包覆层磨损后的ESC电流的流动方式的图。
图3是表示基于包覆层的磨损的ESC电流的变化的图表。
图4是表示处理基板的一次处理周期中的ESC电流的推移的图表。
图5是表示本发明方法的实施方式的判别处理的流程图。
具体实施方式
参照图1,1是设置在省略了图示的真空处理槽内的工作台,在工作台1上固定有吸附玻璃基板等处理基板S的静电卡盘2。静电卡盘2具有使用作为电介质的例如陶瓷材料形成的卡盘平板3,在该卡盘平板3内埋设有第1电极4和第2电极4′。第1电极4和第2电极4′例如形成梳齿状,该齿状部分被配置成以相互不接触的状态啮合。
从被控制器6控制的电源7通过电路7a对第1和第2两电极4、4′间施加直流电压。并且,在电路7a中插设有对第1和第2两电极4、4′间流动的电流值(下面,称ESC电流)进行检测的电流计8。并且,将电流计8检测出的ESC电流数据输入到控制器6。而且,控制器6与EES(engineering Equipment System:工程设备系统)服务器9连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱发科股份有限公司,未经爱发科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980132402.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:Ⅲ族氮化物半导体光元件
- 下一篇:修正探针卡及卡盘板间的平行性的装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造