[发明专利]金属的精制方法无效
| 申请号： | 200980130513.1 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102112638A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 大久保裕夫;广濑洋一;永田浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C22B9/22 | 分类号： | C22B9/22;B22D25/04;B22D27/02;B22D27/04;C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 精制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属的精制方法，为对由金属形成的母材照射电子束使其熔解后，使该熔解的母材凝固，由此精制所述母材的金属的精制方法，其特征在于，该精制方法包括：
对装填在水冷坩埚中的所述母材的表面的全部区域照射所述电子束，完全熔解所述母材的工序，其中，所述水冷坩埚配置在高真空气氛中；
保持对所述熔解了的母材照射所述电子束的状态，并缓慢地减弱所述电子束的输出，从而使所述熔解了的所述母材由所述熔解了的母材的熔融金属底部向着所述电子束照射侧的熔融金属表面部缓慢地凝固的工序；和
所述熔解了的母材的凝固进行至规定的比例之后，除去未凝固的熔融金属部的工序。
2.根据权利要求1所述的金属的精制方法，其特征在于，
所述熔解了的母材的熔融金属深度为20mm～50mm，
熔解所述母材时的所述电子束的照射密度为1000kW/m2～3000kW/m2。
3.根据权利要求1所述的金属的精制方法，其特征在于，
在所述水冷坩埚的宽度尺寸和长度尺寸之中，小的尺寸为所述熔解了的母材的深度的4倍以上。
4.根据权利要求1所述的金属的精制方法，其特征在于，所述母材使用硅材料。
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