[发明专利]用于在低压气相中沉积薄层聚合物的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于沉积一个或多个薄层的方法，其中，尤其是形成聚合物的过程气体与载气体一起借助于进气机构流入沉积腔，以便在基体的位于承接器的与进气机构间隔相对的支承面上的表面上沉积尤其是形式为聚合物的薄层。

背景技术

前述类型的方法由US4945856公开。在此，固态的对二甲苯基(Para-Xylylen)聚合物被制为气体形式。气体通过气体导管导入热解腔(Pyrolysekammenr)，在该热解腔中二聚物(Dimer)被分解为单体。单体与载气体一起通过带有进气机构的另一气体导管导入沉积腔，在该处，气体聚合在位于冷却的承接器上的基体上。US3288728记载了对二甲苯基共聚物。在此，涉及聚对二甲苯族的C-，N-，D-聚合物，所述聚合物在室温下呈固态粉末状或者液态。

由″Characterization of Parylene Deposition Process for the Passivation ofOrganic Light Emmiting Diodes″，Korean J.Chem.Eng.，19(4)，722-727(2002)公开了用聚对二甲苯及其衍生物层来钝化、尤其是包封有机发光二极管(OLED)。此外公知的是，在真空中为各种大面积的基体配设聚对二甲苯涂层。因此，例如玻璃、金属、纸、漆、塑料、陶瓷、铁氧体(Ferrit)和硅通过从气相凝结而涂敷无孔且透明的聚合物薄膜。在此，人们利用聚合物涂层疏水的、耐化学并电绝缘的特性。

US 5554220记载了一种所谓的OVPD过程，通过该过程能够制造所谓的OLEDs(有机发光二极管)。在此作为原材料还提到了DAST。

DE10136858记载了一种用于制造涂层的基体的装置和方法，其中，层借助于冷凝方法被涂敷在基体上。作为基体考虑玻璃、薄膜或塑料。通过在此所述的装置能够制造发光的部件、尤其是薄膜发光部件，如OLED。有机层大面积地沉积在带有掩膜的基体上。装置具有形式为大面积气体分配器的加温进气机构和位于进气机构下面的、用于承接被冷却的基体的承接器。

EP0862664B1公开了一种用于在半导体基体上沉积聚对二甲苯的方法和装置。聚对二甲苯在蒸发腔中被气化。气化的聚对二甲苯在热解腔中被分解。分解产物通过进气机构到达过程腔，并且在冷却到15℃以下的基体上形成层。基体支架可以借助于加热器被加热到直至400℃。

US2006/0113507A1同样描述了真空条件下的聚对二甲苯沉积方法。在该方法中，要在一步方法中沉积液晶聚合物层。过程在三区反应器中发生，该反应器具有升华区、热解区和运行温度在450℃到700℃的冷凝区。升华将在15℃到100℃之间的温度下进行。冷凝和同时的聚合将在210℃至290℃之间的温度下发生。

US6709715B1，US6362115B1和US5958510记载了一种在使用装置的情况下沉积聚对二甲苯层的方法，其中，聚合的原材料首先被气化，然后分解，分解产物通过大面积的气体分配器导入被加热的过程腔中。冷凝发生在冷却的承接器上的基体上。

US3908046记载了一种对二甲苯基聚合物沉积方法，其同样包括升华、热解和沉积的过程步骤。在此，基体温度保持在25℃到30℃的范围内。

用于沉积OLED或聚合物的涂层方法在沉积腔内进行，其中，存在气相中的垂直温度梯度。进气机构具有比基体更高的温度。因此，基体必须通过支承在承接器上而被冷却。通过辐射从进气机构传递到基体的热量必须传递到承接器上。因为涂层过程通常在毫巴以下的范围的压力下进行，热量排出可以仅通过基体和承接器的支承面之间的接触面部分实现。自然，在支承面和基体底侧的两个相互贴靠的面中仅偶尔存在可能实现热传递的真实接触。由于两个面不可避免的不平度，形成间隙宽度直至100μm的间隙空间。在过程压力小于1毫巴时，在该间隙中不再通过对流发生热传递。这导致待涂层的基体的表面通过由加热的进气机构发出的辐射加热到一个明显高于承接器温度的温度。

发明内容

因此，本发明所要解决的技术问题是，提供一种方法，通过该方法能够在仅略高于承接器的支承面的温度的基体温度下进行涂层过程。

该技术问题通过在权利要求中给出的发明解决，其中，基本上每个权利要求都是本发明的一个独立方案，其中，优选将从属权利要求与独立权利要求相组合。