[发明专利]用于在低压气相中沉积薄层聚合物的方法有效
| 申请号: | 200980130318.9 | 申请日: | 2009-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN102112656A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | 马库斯.格斯多夫 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗股份公司 |
| 主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;B05D7/24 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任宇 |
| 地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 压气 相中 沉积 薄层 聚合物 方法 | ||
1.一种用于沉积一个或多个薄层的方法,其中,尤其是有机材料或者聚合物形成的过程气体与载气体一起借助于进气机构(3)流入沉积腔(8),以便在基体(7)的位于承接器(4)的与进气机构(3)间隔相对的支承面(4`)上的表面(7`)上沉积尤其是形式为聚合物的薄层,其特征在于,这样地设定进气机构(3)和/或支承面(4`)的温度,使得支承面(4`)的温度(TS)低于进气机构(3)的温度(TG),其中,在过程气体进入沉积腔(8)之前,在沉积腔(8)内在第一压力(P1)下,位于支承面(4`)上的基体(7)通过向承接器(4)的热量排放稳定于一个基体温度(TD),该基体温度仅略高于支承面(4`)的温度(TS)但明显低于进气机构(3)的温度(TG),接着,沉积腔(8)内的压力(P1)减小到过程压力(P2),并且在达到过程压力(P2)时,过程气体进入沉积腔(8)。
2.如权利要求1或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述载气或过程气体从高度抛光并尤其是镀金的气体流出面(3`)的孔(6)流出。
3.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,形成所述气体流出面(3`)的、喷淋头状构造的进气机构(3)被加热。
4.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述进气机构(3)借助于电加热丝或者由流体流过的通道(19)加热。
5.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,加热丝或者流体流过的通道(19)设置在进气机构(3)的形成气体流入面(3`)的前板上。
6.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,由冷却模块形成的承接器(4)被主动冷却。
7.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述气体流出面(3`)的温度(T)比支承面(4`)的温度(TS)高至少50℃,优选至少100℃。
8.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述气体流出面(3`)的温度(T)在150℃到250℃之间,并优选为约200℃。
9.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述承接器的温度在-30℃到100℃的范围内,并优选在0℃以下。
10.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述过程压力(P2)小于1毫巴,并优选在0.5毫巴到0.05毫巴之间的范围内,并尤其优选为0.1毫巴。
11.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,温度稳定在基体温度(TD)小于100℃,优选小于10℃,热压力(P1)大于1毫巴,优选约为5毫巴时进行。
12.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,所述过程气体是聚合的原材料,尤其是对二甲苯基聚合物或者取代的对二甲苯基聚合物的气化的单体。
13.如前述各项权利要求一项或多项或尤其是其后的权利要求所述的方法,其特征在于,过程气体是气化的液态或固态原材料,该原材料作为尤其是形式为OLED的发光层或者光伏层冷凝在基体(7)上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





