[发明专利]组合物以及使用该组合物制成的发光元件无效
| 申请号: | 200980129185.3 | 申请日: | 2009-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN102105555A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
| 发明(设计)人: | 秋野喜彦 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社;萨美甚株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C07F15/00;C08G61/12;C08K5/34;C08K5/56;C08L65/00;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 组合 以及 使用 制成 发光 元件 | ||
技术领域
本发明涉及组合物以及使用该组合物制成的发光元件。
背景技术
作为发光元件的发光层中使用的发光材料,将显示出通过三重态激发状态而发光的化合物(以下有时称为“磷光发光性化合物”)用于发光层的元件,其发光效率高,这是已知的。在将磷光发光性化合物用于发光层的情况下,通常使用通过将该化合物添加到基质中而形成的组合物作为发光材料。当使用聚乙烯基咔唑作为基质时,可以通过涂布来形成薄膜(专利文献1)。
然而,由于该化合物的最低未占分子轨道(以下称为“LUMO”)的能级高,因此,难以注入电子。另一方面,聚芴等共轭系高分子化合物由于LUMO低,如果将其用作基质,则可以比较容易地实现低驱动电压。可是,这种共轭系高分子化合物的最低三重态激发能量(以下称为“T1能量”)的值小,可以认为不特别适合作为发出比绿色还要短波长的光的基质使用(专利文献2)。例如,含有属于共轭系高分子化合物的聚芴和三重态发光化合物的发光材料,由于从三重态发光化合物发出的光弱,因此发光效率低(非专利文献1)。
在先技术文献
【专利文献】
【专利文献1】特开2002-50483号公报
【专利文献2】特开2002-241455号公报
【非专利文献】
【非专利文献1】APPLIED PHYSICS LETTERS,80,13,2308(2002)
发明内容
发明所要解决的课题
因此,本发明的目的在于,提供在用于发光元件等时的发光效率优良的发光材料。
解决课题的手段
本发明的第一个目的在于,提供包含具有从下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4):
【化1】
(式中,R表示氢原子或者取代基;存在多个的R可以相同或不同。)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物以及磷光发光性化合物的组合物。
本发明的第二个目的在于,提供含有从上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基以及磷光发光性化合物的残基的高分子化合物。
本发明的第三个目的在于,提供使用上述组合物或者上述高分子化合物制成的薄膜以及发光元件。
本发明的第四个目的在于,提供具备上述发光元件的面状光源、显示装置和照明装置。
发明效果
本发明的组合物和高分子化合物(以下称为“本发明的组合物等”),其发光效率高。因此,本发明的组合物等在用于制作发光元件等时,可获得发光效率优良的发光元件。另外,本发明的组合物等对于较短波段的发光,通常具有比较优良的发光性。这是因为,本发明的组合物中所含的含氮化合物、本发明的高分子化合物的T1能量大的缘故。而且,LUMO的能级也比较低,容易注入电子。
具体实施方式
以下详细地说明本发明。
<组合物>
本发明的组合物是包含具有从上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)(以下称为“式(1-1)~(1-4)”)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物(以下有时称为“具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物”)以及磷光发光性化合物的组合物。本发明中,例如,上述式(1-1)~(1-4)表示的化合物的残基是指除去上述式(1-1)~(1-4)表示的化合物中的R的一部分或者全部(特别是1~3个)而形成的基团。另外,“高分子化合物”是指其中至少存在2个相同结构(重复单元)的化合物。
具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物,更优选具有从上述式(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物,特别优选具有从上述式(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的化合物中选出的至少3种含氮化合物的残基的化合物。
具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物可以是高分子化合物,该情况下,优选为在主链和/或侧链上含有该含氮化合物的残基的高分子化合物,特别优选具有含上述式(1-1)~(1-4)表示的含氮化合物的残基的重复单元的高分子化合物、或者除了具有含上述式(1-1)~(1-4)表示的含氮化合物的残基的重复单元以外还具有如下重复单元的高分子化合物,所述重复单元是含有选自芳香环、含杂原子的5元环以上的杂环、芳香胺以及下述式(4)表示的结构中的任一种结构的重复单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社;萨美甚株式会社,未经住友化学株式会社;萨美甚株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980129185.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电热采暖地板
- 下一篇:一种热管导热形式的大功率LED场地灯散热装置





