[发明专利]组合物以及使用该组合物制成的发光元件

权利要求书

1.一种组合物，其中包含具有从下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物以及磷光发光性化合物，

【化1】

式中，R表示氢原子或者取代基；存在多个的R可以相同或不同。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为具有从上述式(1-2)、(1-3)、(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，上述R中的至少1个为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基或者可以具有取代基的杂芳基。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中，上述R中的至少1个为除了氢原子以外的原子总数在3以上的取代基。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中，上述R中的至少1个为碳数3～10的烷基或者碳数3～10的烷氧基。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为由下述式(A-1)或者(A-2)表示的化合物、或者具有其残基的化合物，

【化2】

式中，Z¹和Z²各自独立地表示由上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)或者(1-4)表示的含氮化合物的残基；Y¹表示-C(R^a)(R^b)-、-N(R^c)-、-O-、-Si(R^d)(R^e)-、-P(R^f)-或者-S-；R^a～R^f各自独立地表示氢原子或者取代基；m为0～8的整数；当存在多个Y¹时，它们可以相同或不同；Y²表示可以具有取代基的亚芳基；n为1～5的整数；当存在多个Y²时，它们可以相同或不同。

7.根据权利要求6所述的组合物，具有上述式(A-1)表示的化合物的残基的化合物为由下述式(A-1-1)表示的化合物，

【化3】

式中，R的含义与上述相同。

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为高分子化合物。

9.根据权利要求8所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为具有含有上述式(A-1)或者(A-2)表示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物。

10.根据权利要求9所述的组合物，其中，具有含有上述式(A-1)表示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物为具有由下述式(A-1-2)表示的重复单元的高分子化合物，

【化4】

式中，R的含义与上述相同。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，其的采用计算科学的方法算出的最低三重态激发能量值为3.0eV以上。

12.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，其的采用计算科学的方法算出的最低未占分子轨道的能级绝对值为1.5eV以上。

13.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的最低三重态激发能量值ETH和上述磷光发光性化合物的最低三重态激发能量值ETG满足下述式：

ETH＞ETG  (eV)。

14.根据权利要求8～13中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为具有构成该含氮化合物的杂环结构以及与该杂环结构相邻的部分结构的化合物，所述部分结构具有至少2个π共轭电子，并且在该化合物中，该杂环结构与该部分结构之间的2面角为40°以上。

15.根据权利要求1～14中的任一项所述的组合物，其中，上述磷光发光性化合物为铱络合物或者铂络合物。