[发明专利]Al合金构件、电子装置制造装置、以及带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种Al(铝)合金构件，特别涉及一种轻质且机械强度优异的Al合金构件。本发明还涉及使用了该Al合金构件的电子装置制造装置。

背景技术

半导体装置、平板显示器面板、以及其他的各种电子装置的制造装置通常来说是由不锈钢构成的，然而例如当为了制造大型显示器而形成处理大型的基板(2.88m×3.08m)的装置时，重量就会过大，因此正在研究使用轻质的金属，例如Al合金。但是，如上所述的大型基板用的制造装置中因自重而使Al合金变形，用于维持气密性的O形环无法发挥作用。所以，希望有强度优异的Al合金。

另一方面，由于各种电子装置的制造装置，其内面暴露于腐蚀性的药液或腐蚀性的气体、等离子体等中，因此即使用Al合金构成，也需要将其内面用牢固的钝态保护膜覆盖。所以，特别希望有强度优异并且表面可以由牢固的钝态保护膜覆盖的Al合金。

作为可以提高机械强度并且用牢固的钝态保护膜将表面覆盖的Al合金，例如已知有专利文献1(日本特开平9-176772号公报)中所示的例子。但是，就该专利文献1中公开的材料而言，强度不足以适用于最近的大型制造装置，另外该专利文献1中公开的氟化钝态膜不足以耐受各种腐蚀性气体·等离子体。

本发明人等也提出过，使用添加有Mg及Zr的Al合金，将其表面用非水溶液进行阳极氧化而获得钝态保护膜(专利文献2：国际公开第WO2006/134737号小册子)，然而就该专利文献2中公开的材料而言，强度不足以适用于最近的大型制造装置，另外该专利文献2中公开的阳极氧化膜对氯气的耐腐蚀性也不充分。

专利文献3(日本特开平1-272739号公报)中，记载过添加包含了发色性元素的发色用铝合金，然而是仅添加包含了提高铝合金的硬度的元素的不可避免杂质含量极小的高纯度Al合金，对于获得维氏硬度大于30的高硬度构件的情况没有公开。专利文献3(日本特开平1-272739号公报)中作为实施例给出的表1的试样No.8的铝合金作为发色性元素，不仅含有Ce、Mg及Zr，还含有4.90wt％的Zn。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-176772号公报

专利文献2：国际公开第WO2006/134737号小册子

专利文献3：日本特开平1-272739号公报

发明内容

发明所要解决的课题

所以，本发明的目的在于，提供一种机械强度优异到可以用于大型制造装置中的程度的Al合金构件。

此外，本发明的目的还在于，提供一种用耐腐蚀性优异的阳极氧化膜将表面的至少一部分覆盖了的Al合金构件。

另外，本发明的目的还在于，提供一种至少在一部分中使用了上述Al合金构件的电子装置制造装置。

此外，本发明的目的还在于，提供一种用耐腐蚀性优异的阳极氧化膜将表面的至少一部分覆盖了的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法。

为解决课题的手段

本发明的Al合金构件、至少在一部分中使用了它的电子装置制造装置、以及带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法如下所示。

(1)一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，上述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，具有大于30的维氏硬度。

(2)一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度超过0.01％而在5.0％以下，Ce浓度超过0.01％而在5.0％以下，Zr浓度超过0.01％而在0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，上述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，具有大于30的维氏硬度。

(3)根据上述(1)或(2)所述的Al合金构件，其特征在于，表面的至少一部分由借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖。

(4)根据上述(3)所述的Al合金构件，其特征在于，上述借助非水溶液的阳极氧化膜的厚度为0.1μm～0.6μm。

(5)根据上述(3)或(4)所述的Al合金构件，其特征在于，上述借助非水溶液的阳极氧化膜是非晶体的Al₂O₃膜。

(6)一种电子装置制造装置，其特征在于，在容器或基板搭载载台(stage)的至少一部分中使用了上述(1)～(5)中任意一项所述的Al合金构件。

(7)一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有：