[发明专利]Al合金构件、电子装置制造装置、以及带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法无效
| 申请号： | 200980128811.7 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102105612A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;北野真史;田原稔;伊藤久和;白井孝太;佐伯雅之 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;日本轻金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00;C25D11/04;C25D11/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al 合金 构件 电子 装置 制造 以及 带有 阳极 氧化 方法 | ||
1.一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。
2.一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度超过0.01％而在5.0％以下，Ce浓度超过0.01％而在5.0％以下，Zr浓度超过0.01％而在0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。
3.根据权利要求1或2所述的Al合金构件，其特征在于，其表面的至少一部分由借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖。
4.根据权利要求3所述的Al合金构件，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜的厚度为0.1μm～0.6μm。
5.根据权利要求3或4所述的Al合金构件，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜是非晶体的Al2O3膜。
6.一种电子装置制造装置，其特征在于，在容器或基板搭载载台的至少一部分中使用了权利要求1～5中任意一项所述的Al合金构件。
7.一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有：
获得Al合金构件的步骤，该Al合金构件中以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度；
将所述Al合金构件的表面的至少一部分用借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖的步骤。
8.一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有：
获得Al合金构件的步骤，该Al合金构件中以质量％计，Mg浓度超过0.01％而在5.0％以下，Ce浓度超过0.01％而在5.0％以下，Zr浓度超过0.01％而在0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度；
将所述Al合金构件的表面的至少一部分用借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖的步骤。
9.根据权利要求7或8所述的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜的厚度为0.1μm～0.6μm。
10.根据权利要求7～9中任意一项所述的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜为非晶体的Al2O3膜。
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