[发明专利]用于减弱电子装置制造过程排出物的方法和设备无效
| 申请号： | 200980127216.1 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102089857A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·福克斯;丹尼尔·O·克拉克;弗兰克·F·霍史达瑞恩;贝林达·福利波 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 减弱 电子 装置 制造 过程 排出 方法 设备 | ||
本申请要求2008年7月11日递交的题为“METHODS AND APPARATUS FOR MOVING A REACTION FURTHER INTO A REACTOR”(律师标记No.11627/L)的美国临时专利申请序列号61/080,105的优先权，在此用于全部目的通过全文引用结合于此。相关申请的交叉引用
本申请关于以下共同指定的共同未决美国专利申请，在此用于全部目的通过全文引用结合于此：
2004年11月12日递交的题为“REACTOR DESIGN TO REDUCE PARTICLE DEPOSITION DURING PROCESS ABATEMENT”的美国专利申请序列号10/987,921(律师标记No.9985)。
1996年12月31日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号08/775,838、美国专利号5,955,037(律师标记No.9955)。
1999年9月20日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATM[ENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号09/400,662、美国专利号6,333,010(律师标记No.9955/C01)。
1999年5月7日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号09/307,058、美国专利号6,322,756(律师标记No.9955/P01)。
2007年5月7日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号11/745,428(律师标记No.9955/D02)。
2001年10月4日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号09/970,613、美国专利号7,214,349(律师标记No.9955/D01/Y02)。
2006年10月24日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号11/552,447(律师标记No.9955/D01/C02/Y01)。
2007年8月14日递交的题为“EFFLUENT GAS STREAM TREATMENT SYSTEM HAVING UTILITY FOR OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号11/838,549(律师标记No.9955/D01/C03)。
1999年10月18日递交的题为“FLUORINE ABATEMENT USING STEAM INJECTION OXIDATION TREATMENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EFFLUENT GASES”的美国专利申请序列号09/420,080、美国专利号6,423,284(律师标记No.9969)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
