[发明专利]用于减弱电子装置制造过程排出物的方法和设备无效
申请号: | 200980127216.1 | 申请日: | 2009-07-09 |
公开(公告)号: | CN102089857A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 艾伦·福克斯;丹尼尔·O·克拉克;弗兰克·F·霍史达瑞恩;贝林达·福利波 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减弱 电子 装置 制造 过程 排出 方法 设备 | ||
1.一种热减弱系统,包括:
热减弱反应器;
入口,其与所述反应器流体相通;
处理腔室,其与所述入口流体相通;
第一鞘液源,其与所述入口流体相通;
第一流量控制装置,适于调节来自所述第一鞘液源的第一鞘液的流量;以及
控制器,其与所述第一流量控制装置信号通信,适于通过操作所述第一流量控制装置来调节所述鞘液;
其中,所述入口适于接收来自所述处理腔室的排出物流以及来自所述第一鞘液源的所述第一鞘液,以利用所述第一鞘液包覆所述排出物流,而形成包鞘排出物流,并且将所述包鞘排出物流引入所述反应器。
2.根据权利要求1所述的热减弱系统,其中,所述控制器适于通过操作所述第一流量控制装置来调节所述鞘液的速度和流率中的一个或多个。
3.根据权利要求2所述的热减弱系统,还包括流量传感器,其与排出物流导管感测通信,并适于测量所述排出物流从所述处理腔室至所述反应器的流率,其中,所述控制器适于从所述流量传感器接收讯号,并基于所述排出物流的流率来调节所述鞘液的流量。
4.根据权利要求1所述的热减弱系统,还包括第二鞘液源,其与所述入口流体相通,其中,所述入口还适于从所述第一及所述第二鞘液源接收所述第一及第二鞘液。
5.根据权利要求4所述的热减弱系统,还包括:
第二流量控制装置,适于控制所述第二鞘液的流量,以及
混合装置,与所述第一及第二鞘液源和所述入口流体相通,并适于结合所述第一鞘液与所述第二鞘液而形成组合鞘液;
其中,所述控制器适于通过操作所述第一及第二流量控制装置,来调节所述组合鞘液的化学成分。
6.一种用于操作热减弱系统的方法,包括:
将排出物流接收到入口中;
将第一鞘液接收到所述入口中;
在所述排出物流周围形成所述第一鞘液的鞘部,以形成包鞘排出物流;
将所述包鞘排出物流从所述入口引入热反应器内;
利用控制器调节所述第一鞘液;以及
在所述热反应器内减弱部分的所述排出物流。
7.根据权利要求6所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,所述第一鞘液包含惰性流体和试剂中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的用于操作热减弱系统的方法,还包括将第二鞘液接收到所述入口中。
9.根据权利要求6所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,调节所述第一鞘液包含调节所述鞘液的流率。
10.根据权利要求6所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,调节所述第一鞘液包含调节所述鞘液的化学成分。
11.根据权利要求6所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,所述控制器还适于改变所述第一鞘液的粘度。
12.根据权利要求6所述的用于操作热减弱系统的方法,还包括减少所述包鞘排出物流内的紊流。
13.一种用于操作热减弱系统的方法,包括:
判定排出物流的化学成分及流率中的一种或多种;
基于所述排出物流的化学成分及流率中的一种或多种,来选择鞘液;
通过操作至少一个流量控制装置以调节至少一种鞘液的流量,来将所选择的鞘液供应至入口;
将所述排出物流接收到所述入口中;
在所述排出物流周围形成所述鞘液的鞘部,以形成包鞘排出物流;
将所述包鞘排出物流从所述入口引入热反应器内;以及
在所述热反应器内减弱部分的所述排出物流。
14.根据权利要求13所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,所述排出物流的化学成分是确定的。
15.根据权利要求13所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,所述排出物流的流率是确定的。
16.根据权利要求13所述的用于操作热减弱系统的方法,其中,所述排出物流的化学成分及流率由气体分配盘的状态推得,所述气体分配盘将试剂供应至处理腔室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980127216.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造