[发明专利]用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐

权利要求书

1.一种自对准双图案成型的方法，其包含以下步骤：

将第一基材装载至处理平台；

蚀刻多层掩模层叠的第一层，以形成样板掩模；

执行所述样板掩模的真空中临界尺寸(CD)测量；

邻接所述样板掩模形成间隔物，所述间隔物形成达宽度，所述宽度与所述样板掩模的CD测量相关；及

将所述第一基材从所述处理平台卸载。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，真空中CD测量为光学CD(OCD)测量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，邻接所述样板掩模形成所述间隔物的步骤进一步包含以下步骤：

在所述样板掩模上方沉积间隔物层，其中，所述间隔物层形成至厚度，所述厚度与所述样板掩模的CD测量相关；及

执行间隔物蚀刻，以暴露所述样板掩模，并从所述间隔物层形成间隔物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物层沉积和所述间隔物蚀刻在相同的过程腔室中执行。

5.根据权利要求3所述的方法，进一步包含以下步骤：

执行真空中CD测量，以确定所沉积的所述间隔物层的厚度；及

在各向异性蚀刻所述间隔物层以形成所述间隔物前，基于所测量的所述间隔物层的厚度，通过额外沉积来增补所述间隔物层的厚度或对所述间隔物层进行各向同性蚀刻。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述间隔物层沉积的至少一个过程参数基于所述样板掩模的真空中CD测量，或所述间隔物蚀刻的至少一个过程参数基于所述间隔物介电层的真空中CD测量而确定。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个过程参数是选自由下列所构成的组：过程时间、过程气流、内部-外部射频源线圈功率比、内部-外部电极温度比、内/外气流比和磁场强度。

8.根据权利要求1所述的方法，还包含以下步骤：

相对所述间隔物选择性地以及相对停止层选择性地移除所述样板掩模，以形成间隔物掩模；

移除所述停止层，以暴露所述多层掩模层叠的含碳层；及

在卸载所述第一基材前，如所述间隔物掩模所限定的蚀刻所述含碳层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包含以下步骤：

在蚀刻所述含碳层后执行真空中CD测量，以确定所述图案化多层掩模层叠的最后CD；及

基于所测量的所述最后CD，调整在第二基材上执行的所述样板掩模蚀刻、间隔物沉积、间隔物蚀刻或含碳层蚀刻的至少一个的过程参数。

10.一种等离子体处理平台，包含：

移送腔室，其配置为以次大气压操作；

一或多个过程腔室，其连接至所述移送腔室；

测量单元，其配置为用于真空中临界尺寸测量，并连接至所述移送腔室或所述一或多个过程腔室的至少一个；及

一或多个控制器，其配置为导致所述一或多个过程腔室在第一基材上沉积薄膜，其中，基于所述第一基材被所述一或多个过程腔室蚀刻后从所述测量单元接收的第一CD测量，由所述一或多个控制器确定至少一个薄膜沉积过程参数。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理平台，其中，所述一或多个控制器进一步配置为导致所述一或多个过程腔室使用过程参数蚀刻沉积在所述第一基材上的所述薄膜，其中，基于所述薄膜沉积在所述第一基材上之后从所述测量单元接收的所述第一基材的第二CD测量，由所述一或多个控制器确定所述过程参数。

12.根据权利要求10所述的等离子体处理平台，其中，所述一或多个控制器进一步配置为由基于所述第一基材的所述第二CD测量进行的蚀刻或沉积过程的任一者来处理所述第一基材，以可适性地确定过程序列。

13.一种具有储存在其上的指令的计算机可读取的媒介，当由处理系统执行时，导致所述系统执行自对准双图案成型的方法，所述方法包含以下步骤：

将第一基材装载至处理平台；

蚀刻多层掩模层叠的第一层，以形成样板掩模；

执行所述样板掩模的真空中临界尺寸(CD)测量；

邻接所述样板掩模形成间隔物，所述间隔物形成达宽度，所述宽度与所述样板掩模的CD测量相关；及

将所述第一基材从所述处理平台卸载。