[发明专利]发磷光性组合物及使用该组合物的发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发磷光性组合物及使用该组合物的发光元件。

背景技术

作为发光元件的发光层中使用的发光材料，已知将显示来自三重激发态的发光的化合物(以下有时称为“发磷光性化合物”。)用于发光层的元件具有高的发光效率。将发磷光性化合物用于发光层时，通常将在基体中添加该化合物而成的组合物用作发光材料。作为基体，由于可通过涂布形成薄膜，因此使用聚乙烯基咔唑(专利文献1)。

但是，该化合物的最低未占分子轨道(以下称为“LUMO”。)的能级高，因此难以注入电子。另一方面，聚芴等共轭系高分子化合物的LUMO低，因此，将其用作基体时，可以比较容易地实现低驱动电压。但是，这样的共轭系高分子化合物的最低三重态激发能(以下称为“T₁能量”。)的值小，因此，不适合用作特别是用于波长比绿色短的发光的基体(专利文献2)。例如，由共轭系高分子聚芴和三重态发光化合物构成的发光材料由于来自三重态发光化合物的发光弱，因此，发光效率低(非专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-50483号公报

专利文献2：日本特开2002-241455号公报

非专利文献

非专利文献1：APPLIED PHYSICS LETTERS，80，13，2308(2002)

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种用于发光元件等时发光效率优异的材料。

本发明的第一方面提供一种组合物，其包含具有选自下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮多环式化合物中的至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物和发磷光性化合物，

(式中，R表示氢原子或取代基。存在的多个R可以相同或不同。)

本发明的第二方面提供一种高分子化合物，其包含选自所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮多环式化合物中的至少2种含氮多环式化合物的残基和发磷光性化合物的残基。

本发明的第三方面提供一种使用所述组合物或所述高分子化合物而成的薄膜及发光元件。

本发明的第四方面提供一种具备所述发光元件的面状光源、显示装置及照明。

本发明的组合物及高分子化合物(以下称为“本发明的组合物等”)的发光效率高。因此，本发明的组合物等在用于发光元件等的制作时，发光效率优异。另外，本发明的组合物等在较短波长的区域的发光中，通常具有比较优异的发光性。这是由于，本发明的组合物中所含的含氮多环式化合物、本发明的高分子化合物的T₁能量大。另外，本发明的组合物等的LUMO能级也比较低，容易注入电子，最高占据分子轨道(以下称为“HOMO”)的能级比较高，容易注入空穴。

具体实施方式

以下对本发明进行详细说明。

<组合物>

本发明的组合物为包含具有选自上式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)(以下称为“式(1-1)～(1-4)”。)所示的含氮多环式化合物中的至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物(以下有时称为“上述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物”。)和发磷光性化合物的组合物。本发明中，例如，所谓上式(1-1)～(1-4)所示的化合物的残基，是指除去了上式(1-1)～(1-4)所示的化合物中的R的一部分或全部(特别是1～3个)而形成的基团。另外，“高分子化合物”是指化合物中存在至少2个相同的结构(重复单元)。

上述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物更优选为具有选自上式(1-1)、(1-2)及(1-3)所示的化合物中的至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物，特别优选为具有选自上式(1-1)、(1-2)及(1-3)所示的化合物中的至少3种含氮多环式化合物的残基的化合物。

上述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物可以为高分子化合物，该情况下，优选为主链及/或侧链具有该含氮多环式化合物的残基的高分子化合物，特别优选具有包含上式(1-1)～(1-4)所示的含氮多环式化合物的残基的重复单元的高分子化合物，及除具有上式(1-1)～(1-4)所示的含氮多环式化合物的残基的重复单元以外还具有包含选自芳香环、含有杂原子的5元环以上的杂环、芳香族胺及后述的式(4)所示的结构中的任一结构的重复单元的高分子化合物。