[发明专利]发磷光性组合物及使用该组合物的发光元件无效
| 申请号: | 200980123736.5 | 申请日: | 2009-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN102066523A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | 秋野喜彦 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社;萨美甚株式会社 |
| 主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C07F15/00;C08G61/12;C08K5/34;C08K5/56;C08L65/00;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磷光 组合 使用 发光 元件 | ||
1.一种组合物,其包含具有选自下式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的含氮多环式化合物中的至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物和发磷光性化合物,
式中,R表示氢原子或取代基,存在的多个R可以相同或不同。
2.如权利要求1所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物是具有选自所述式(1-1)、(1-2)及(1-3)所示的含氮多环式化合物中的至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物。
3.如权利要求1或2所述的组合物,其中,所述R中的至少1个为烷基、烷氧基、可具有取代基的芳基或可具有取代基的杂芳基。
4.如权利要求3所述的组合物,其中,所述R中的至少1个为氢原子以外的原子的总数为3以上的取代基。
5.如权利要求4所述的组合物,其中,所述R中的至少1个是碳原子数为3~10的烷基或碳原子数为3~10的烷氧基。
6.如权利要求1~5中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物为下式(A-1)或(A-2)所示的化合物或具有其残基的化合物,
Z1-(Y1)m-Z2 (A-1)
Z1-(Y2)n-Z2 (A-2)
式中,Z1及Z2分别独立地表示上式(1-1)、(1-2)、(1-3)或(1-4)所示的含氮多环式化合物的残基;Y1表示-C(Ra)(Rb)-、-N(Rc)-、-O-、-Si(Rd)(Re)-、-P(Rf)-或-S-;Ra~Rf分别独立地表示氢原子或取代基;m为0~5的整数;存在多个Y1时,它们可以相同或不同;Y2表示可具有取代基的亚芳基;n为1~5的整数;存在多个Y2时,它们可以相同或不同。
7.如权利要求1~6中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物为高分子化合物。
8.如权利要求7所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物为具有包含所述式(A-1)或(A-2)所示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物。
9.如权利要求1~8中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物的由计算科学方法算出的最低三重激发态能量的值为3.0eV以上。
10.如权利要求1~9中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物的由计算科学方法算出的最低未占分子轨道能级的绝对值为1.5eV以上。
11.如权利要求1~9中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物的由计算科学方法算出的最高占据分子轨道能级的绝对值为6.2eV以下。
12.如权利要求1~11中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物的最低三重态激发能的值ETH和所述发磷光性化合物的最低三重态激发能的值ETG满足下式:
ETH>ETG(eV)。
13.如权利要求1~12中任一项所述的组合物,其中,所述具有至少2种含氮多环式化合物的残基的化合物,具有构成该含氮多环式化合物的杂环结构和与该杂环结构邻接的部分结构,且所述部分结构具有至少2个π共轭电子,并且所述杂环结构和所述部分结构之间的2面角为40°以上。
14.如权利要求1~13中任一项所述的组合物,其中,所述发磷光性化合物为铱络合物或铂络合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社;萨美甚株式会社,未经住友化学株式会社;萨美甚株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980123736.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





