[发明专利]透明导电膜的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜的制造方法。

背景技术

透明导电膜可用于液晶显示器、有机EL显示器、等离子显示器等显示器的电极、太阳能电池的电极、窗玻璃的热线反射膜、防静电膜等。作为透明导电膜熟知ITO膜(In₂O₃-SnO₂系)，但由于In为稀有金属，因此，正在追求In含量少的透明导电膜。作为那样的透明导电膜，已知ZnO-SnO₂系的膜，在日本特开平8-171824号公报中记载有将混合·烧成ZnO和SnO₂而得到的烧成粉末作为靶，通过溅射成膜，得到Zn₂SnO₄或ZnSnO₃的透明导电膜的技术。

发明内容

但是，在现有的技术中，透明导电膜在其导电性等膜特性方面还有改良的余地，其膜特性还没有达到替代ITO膜的水平。本发明的目的在于提供一种可以减少In含量、且可以将导电性等膜特性改良至和ITO膜匹敌的水平的透明导电膜的制造方法。

本发明人为了解决上述课题而进行了潜心研究，完成了本发明。

即，本发明提供以下方面。

<1>一种透明导电膜的制造方法，其包含使用烧结体作为靶，在混合气体气氛中，利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序，在此，烧结体含有Zn、Sn及O，混合气体含有惰性气体及氧，氧浓度在0.01体积％以上且在0.4体积％以下的范围。

<2>如上述<1>所述的方法，其中，物理成膜法为溅射法。

<3>如上述<1>或<2>所述的方法，其中，烧结体含有Zn、Sn及O，且Sn的摩尔数相对Sn的摩尔数和Zn的摩尔数之和的比(Sn/(Sn+Zn))为超过0.5且小于0.7的范围。

<4>如上述<3>所述的方法，其中，烧结体的结晶结构包含Zn₂SnO₄的尖晶石型结晶结构和SnO₂的金红石型结晶结构的混合相。

<5>如上述<3>或<4>所述的方法，其中，透明导电膜的电阻率小于3×10^-3Ω·cm。

<6>如上述<1>～<5>中任一项所述的方法，其中，支撑体的温度为100℃以上且300℃以下的范围。

<7>如上述<1>～<6>中任一项所述的方法，其中，透明导电膜为非晶质膜。

具体实施方式

透明导电膜的制造方法

本发明的透明导电膜的制造方法包含使用烧结体作为靶，在混合气体气氛中，利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序，在此，烧结体含有Zn、Sn及O，混合气体含有惰性气体及氧，氧浓度在0.01体积％以上且0.4体积％以下的范围。

烧结体含有Zn、Sn及O，通常，含有Zn、Sn及O作为主成分。更具体而言，是指相对于包含于烧结体中的全部金属元素的摩尔量，Zn及Sn的合计摩尔量为0.95以上。对烧结体而言，在本发明中，在不损害本发明效果的范围内，可以含有和Zn、Sn不同的金属元素作为掺杂元素，作为这样的掺杂元素，可以举出：Al、Sb、In等。另外，为了尽可能减少得到的透明导电膜的In含量，优选的烧结体为由Zn、Sn及O构成的烧结体，详细而言，为含有Zn、Sn及O、且实质上不含有其它的金属元素的烧结体。其它的金属元素例如为Al、Sb、In，这些金属元素的量通常小于0.1重量％。

此时，不排除后述的烧结体制造时使用的粘合剂等添加物的残留物(例如碳、卤素等)等。另外，烧结体包含含Zn、Sn及O的氧化物。