[发明专利]透明导电膜的制造方法无效
| 申请号： | 200980123678.6 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102067246A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 长谷川彰 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电膜的制造方法，其中，包括：
使用烧结体作为靶，在混合气体气氛中，利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序，
在此，烧结体含有Zn、Sn及O，
混合气体含有惰性气体及氧，氧浓度在0.01体积％以上且0.4体积％以下的范围。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
物理成膜法为溅射法。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，
烧结体含有Zn、Sn及O，且Sn的摩尔数相对Sn的摩尔数和Zn的摩尔数之和的比Sn/(Sn+Zn)在超过0.5且小于0.7的范围。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
烧结体的结晶结构包含Zn2SnO4的尖晶石型结晶结构和SnO2的金红石型结晶结构的混合相。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，
透明导电膜的电阻率小于3×10-3Ω·cm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，
支撑体的温度在100℃以上且300℃以下的范围。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，
透明导电膜为非晶质膜。
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