[发明专利]薄膜太阳能电池互连无效
申请号: | 200980122980.X | 申请日: | 2009-06-16 |
公开(公告)号: | CN102150284A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 阿米恩·格哈德·阿波尔勒;佩尔·英格马尔·维登伯格;彼得·贾洛斯拉弗·格莱斯 | 申请(专利权)人: | 新加坡国立大学 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 互连 | ||
1.一种使外部支撑基板上的两个或更多薄膜太阳能电池互连的方法,所述方法包括步骤:
将一个薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极,使得所述薄膜太阳能电池串联。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述导线接合包括使用一个或多个圆形导线、扁平导线和带。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中,所述空气侧电极包括空气侧母线和连接到所述空气侧母线的多个空气侧指状部电极,所述基板侧电极包括基板侧母线和连接到所述基板侧母线的多个基板侧指状部电极。
4.如权利要求3所述的方法,包括将所述一个太阳能电池的所述空气侧母线导线接合到所述相邻太阳能电池的所述基板侧母线。
5.如前述权利要求中的任一项所述的方法,进一步包括将串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极导线接合到第一外部母线,并将所述串联的薄膜太阳能电池中的最后薄膜太阳能电池的所述空气侧电极导线接合到第二外部母线。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的方法,进一步包括:在所述串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池上提供各自的导电带,使得所述导电带与所述串联的薄膜太阳能电池中的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池的表面电绝缘,并将所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池的基板侧电极和所述串联的薄膜太阳能电池的所述最后薄膜太阳能电池的空气侧电极导线接合到所述各自的导电带。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述导电带通过各自不导电的粘结剂粘附到所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池。
8.如前述权利要求中的任一项所述的方法,进一步包括封装所述导线接合形成的连接。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述串联的薄膜太阳能电池的整个空气侧表面被封装。
10.一种薄膜太阳能电池组件,包括:
两个或更多薄膜太阳能电池;以及
在一个薄膜太阳能电池的空气侧电极和相邻薄膜太阳能电池的基板侧电极之间的导线接合形成的电连接,使得所述薄膜太阳能电池串联。
11.如权利要求10所述的太阳能电池组件,其中,所述导线接合形成的电连接包括一个或多个圆形导线、扁平导线和带。
12.如权利要求10或11所述的太阳能电池组件,其中,所述空气侧电极包括空气侧母线和连接到所述空气侧母线的多个空气侧指状部电极,所述基板侧电极包括基板侧母线和连接到所述基板侧母线的多个基板侧指状部电极。
13.如权利要求12所述的太阳能电池组件,其中,所述导线接合形成的连接在所述一个太阳能电池的所述空气侧母线和所述相邻太阳能电池的所述基板侧母线之间。
14.如权利要求12或13所述的太阳能电池组件,其中,所述基板侧母线提供用于所述导线接合形成的连接的各自衬垫面积。
15.如权利要求12或13所述的太阳能电池组件,其中,一个或多个所述基板侧电极包括加宽的衬垫部分,以提供用于所述导线接合形成的连接的各自衬垫面积。
16.如前述权利要求中的任一项所述的太阳能电池组件,进一步包括:
在所述串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池的基板侧电极到所述太阳能电池组件的第一外部母线之间的导线接合形成的连接;以及
在所述串联的薄膜太阳能电池中的最后薄膜太阳能电池的空气侧电极和所述太阳能电池组件的第二外部母线之间的导线接合形成的连接。
17.如权利要求10至15中的任一项所述的太阳能电池组件,进一步包括:
在所述串联的薄膜太阳能电池中的第一薄膜太阳能电池和最后薄膜太阳能电池上各自的导电带,使得所述导电带与所述串联的薄膜太阳能电池中的所述第一薄膜太阳能电池和所述最后薄膜太阳能电池的表面电绝缘;以及
所述串联的薄膜太阳能电池的所述第一薄膜太阳能电池的所述基板侧电极和所述串联的薄膜太阳能电池的所述最后薄膜太阳能电池的所述空气侧电极到各自的导电带的、导线接合形成的连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的