[发明专利]基于模型的过程模拟的方法

权利要求书

1.一种光刻过程模拟的方法，包括：

提供描述可归因于光刻过程参数中的差别的成像结果中的差别的微分模型；和

使用所述微分模型产生模拟的晶片轮廓。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，光刻过程参数中的差别对应于掩模差别、抗蚀剂差别、轨迹差别、蚀刻差别和扫描器差别中的一个或更多个。

3.根据权利要求6所述的方法，其中所述扫描器差别包括与光学装置、机械装置、控制和器件特有的激光器漂移中的一个或更多个相关联的差别。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟的晶片轮廓对应于抗蚀剂中的晶片轮廓。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟的晶片轮廓对应于蚀刻之后的晶片轮廓。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟的晶片轮廓包括能够由通过至少一个不同的光刻过程参数相互区别的光刻过程产生的轮廓。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述微分模型表征包括两个扫描器的两个光刻过程中的差别。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述微分模型所描述的差别包括可调整的和不可调整的参数。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括通过使用所述微分模型和所述两个扫描器中的一个扫描器的模型来导出所述两个扫描器中的另一个扫描器的模型的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个扫描器的模型是OPC模型和OPC验证模型中的一个。

11.一种用于光刻过程模拟的方法，包括：

提供描述可归因于用于一个扫描器的扫描器设定中的差别的成像结果中的差别的灵敏度模型；和

使用所述灵敏度模型产生模拟的晶片轮廓。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述模拟的晶片轮廓对应于抗蚀剂中的晶片轮廓。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述模拟的晶片轮廓对应于蚀刻之后的晶片轮廓。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述模拟的晶片轮廓包括能够由通过至少一个不同的扫描器设定参数相互区别的光刻过程产生的轮廓。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：在另一设定下通过使用所述灵敏度模型和所述扫描器的基础模型导出在特定设定下的扫描器的模型。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述扫描器的基础模型是OPC模型和OPC验证模型中的一个。

17.根据权利要求11或15所述的方法，其中所述扫描器设定涉及所述一个扫描器的照射系统、投影系统、激光源和晶片台中的一个或更多个。

18.一种用于校准光刻模型的方法，包括步骤：

执行光刻过程的多个模拟，其中对于每一模拟，改变过程模型的可调整的设定；

比较由所述模拟产生的模拟的轮廓与在所述光刻过程中的对应变化下产生的测量的轮廓，以识别所述模拟的轮廓和所述测量的轮廓之间的差别；和

基于所识别的差别通过使用价值函数来校准所述过程模型的参数。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述过程模型是灵敏度模型，其描述了可归因于光刻设备的设备设定中的差别的成像结果中的差别。

20.一种用于校准光刻模型的方法，包括步骤：

执行用于多个扫描器的光刻过程的模拟，其中微分模型表征了所述光刻过程中的与扫描器相关的差别；

识别由所述模拟产生的模拟的轮廓和在所述模拟的条件下由所述多个扫描器获得的对应的测量的轮廓之间的差别；和

基于所述识别的差别来优化所述微分模型的参数。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述优化步骤包括步骤：调节可调整的和不可调整的扫描器参数，直到所述模拟的轮廓中的差别与所述测量的轮廓中的对应差别匹配。