[发明专利]辐射系统、辐射收集器、辐射束调节系统、用于辐射系统的光谱纯度滤光片以及用于形成光谱纯度滤光片的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2008年5月30日申请的美国临时申请61/057,704的权益，且通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明涉及辐射系统、辐射收集器、辐射束调节系统、用于辐射系统的光谱纯度滤光片以及用于形成光谱纯度滤光片的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术成为了使微型的IC或其它器件和/或结构能够制造的更为关键的因素。

通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估计：

CD=k1*λNAPS---(1)]]>

其中，λ是所使用的辐射的波长，NA_PS是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印刷尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA_PS或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此使最小可印刷的尺寸减小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射源被配置以输出约13nm的辐射波长。因此，EUV辐射源可以构成朝向获得小的特征印刷迈进的非常重要的一步。这样的辐射用术语“极紫外”或“软x射线”来表示，可能的源例如包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。伴随有用的EUV频带内辐射，EUV辐射源还可以产生几乎相等的(且有时是更多的)不期望的频带外红外(“IR”)和深紫外(“DUV”)辐射。

光谱纯度滤光片已经被开发以从用于曝光的辐射束中滤除非EUV辐射。然而，已经开发的光谱纯度滤光片可能不能承受高热负载，可能在尺寸上受限制以及可能不能提供期望的过滤。

发明内容

期望提供一种改进的辐射系统。还期望提供一种辐射系统，该辐射系统可以产生用在光刻术中的在光谱上充分纯的辐射束。还期望提供经久耐用的辐射系统，其可以通过将不被期望的辐射的路径改变到辐射束的外部来产生纯极紫外(EUV)辐射的束。

根据本发明的一个实施例，提供了一种光谱纯度滤光片，其被配置以在第一方向上反射具有第一波长的辐射和在与所述第一方向不同的第二方向上反射具有第二波长的辐射。所述光谱纯度滤光片包括基衬底和在所述基衬底上的多层堆叠。所述多层堆叠包括多个交替层和在所述多层堆叠的顶侧中的多个凹陷。所述凹陷被配置以允许具有所述第一波长的辐射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波长的辐射。所述凹陷被配置成使得它们的横截面具有对称性的轮廓。

根据本发明的一个实施例，提供了一种辐射系统，其被配置以产生辐射束。所述辐射系统包括腔，所述腔包括：辐射源，被配置以产生辐射；辐射束发射孔阑；和辐射收集器，被配置以收集由所述源产生的辐射，且将所收集的辐射传递至所述辐射束发射孔阑。所述辐射收集器包括如上所述的光谱纯度滤光片，所述光谱纯度滤光片被配置以增强经由所述孔阑发射的所述辐射的光谱纯度。