[发明专利]辐射系统、辐射收集器、辐射束调节系统、用于辐射系统的光谱纯度滤光片以及用于形成光谱纯度滤光片的方法有效
| 申请号: | 200980120016.3 | 申请日: | 2009-05-05 |
| 公开(公告)号: | CN102047151A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
| 发明(设计)人: | V·巴尼内;W·德勃伊;J·鲁普斯特拉;A·范帝杰赛欧东克;G·斯温克尔斯;J·范斯库特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G02B5/18;G02B5/20;G02B5/28;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射 系统 收集 调节 用于 光谱 纯度 滤光 以及 形成 方法 | ||
1.一种光谱纯度滤光片,被配置以在第一方向上反射具有第一波长的辐射和在与所述第一方向不同的第二方向上反射具有第二波长的辐射,所述光谱纯度滤光片包括:
基衬底;
在所述基衬底上的多层堆叠,所述多层堆叠包括多个交替层;和
在所述多层堆叠的顶侧中的多个凹陷,所述凹陷被配置以允许具有所述第一波长的辐射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波长的辐射;
其中,所述凹陷被配置成使得它们的横截面是对称性的轮廓。
2.根据权利要求1所述的光谱纯度滤光片,其中所述凹陷的深度为约所述第二波长的五分之一。
3.根据权利要求1或2所述的光谱纯度滤光片,其中所述第一波长为约13.5nm,所述第二波长为约10μm。
4.根据权利要求1、2或3所述的光谱纯度滤光片,其中所述基衬底包括抛光的反射镜。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光谱纯度滤光片,还包括在所述多层堆叠的顶侧上的涂层。
6.根据权利要求5所述的光谱纯度滤光片,其中所述涂层包括从由Ru,Pd,Pt,Rh,Ro,Ti,Au,Mo,Zr,Cu,Fe,Cr,Ni,Zn和Ag构成的组中选出的金属。
7.根据权利要求6所述的光谱纯度滤光片,其中所述金属是从由Ru,Pd,Pt,Rh,Ro,Ti和Au构成的组中选出的。
8.根据权利要求5、6或7所述的光谱纯度滤光片,其中所述涂层具有约0.2nm至约1nm的厚度。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的光谱纯度滤光片,其中所述抛光的反射镜被配置成光刻设备的辐射系统的收集器的一部分。
10.根据权利要求4至8中任一项所述的光谱纯度滤光片,其中所述抛光的反射镜被配置成光刻设备的照射系统的一部分。
11.一种辐射系统,被配置以产生辐射束,所述辐射系统包括腔,所述腔包括:
辐射源,被配置以产生辐射;
辐射束发射孔阑;和
辐射收集器,被配置以收集由所述源产生的辐射,和将所收集的辐射传递至所述辐射束发射孔阑,所述辐射收集器包括根据权利要求1至8中任一项所述的光谱纯度滤光片;
其中,所述光谱纯度滤光片被配置以增强经由所述孔阑发射的所述辐射的光谱纯度。
12.根据权利要求11所述的辐射系统,其中所述辐射源被配置以产生极紫外辐射,且经由所述孔阑发射的辐射是所述极紫外辐射。
13.根据权利要求12所述的辐射系统,其中所述光谱纯度滤光片被配置成在所述第一方向上朝向所述孔阑反射所述极紫外辐射且在不同于所述第一方向的第二方向上反射除所述极紫外辐射之外的辐射。
14.根据权利要求13所述的辐射系统,其中所述除所述极紫外辐射之外的辐射包括红外辐射和/或深紫外辐射。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的辐射系统,其中所述凹陷的深度为约2μm,且所述在所述第二方向上被反射的辐射的波长是约10μm。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的辐射系统,其中所述辐射源是激光产生等离子体源,所述激光产生等离子体源包括辐射源,所述辐射源被配置以将具有预定波长的相干辐射束聚焦到燃料上,其中所述光谱纯度滤光片被配置成从由所述源产生的辐射滤除具有所述相干辐射的预定波长的辐射的至少一部分。
17.根据权利要求16所述的辐射系统,其中所述预定的波长是约10.6μm。
18.一种辐射收集器,被配置以收集由被配置产生极紫外辐射的辐射源产生的辐射和将所收集的辐射发送至辐射系统的中间焦点,所述辐射收集器包括根据权利要求1-8中任一项所述的光谱纯度滤光片;
其中所述光谱纯度滤光片被配置成增强所述极紫外辐射的光谱纯度。
19.根据权利要求18所述的辐射收集器,其中所述光谱纯度滤光片被配置成在所述第一方向上朝向所述中间焦点反射所述极紫外辐射且在远离所述中间焦点的第二方向上反射除所述极紫外辐射之外的辐射。
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