[发明专利]低功率螺线管控制系统及方法有效

专利信息
申请号: 200980117437.0 申请日: 2009-03-24
公开(公告)号: CN102027664A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 约翰·J·哈勒 申请(专利权)人: 自动开关公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 丁艺;沙捷
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 功率 螺线管 控制系统 方法
【权利要求书】:

1.一种方法,包括步骤:

(a)闭合单个第一开关,由此允许源电流流过电感器;

(b)打开所述单个第一开关,由此利用所述电感器的感应迫使充电电流流经能量存储器件;

(c)重复步骤a和b,直到所述能量存储器件被充分地充电;

(d)依据命令,闭合第二开关,由此迫使放电电流从能量存储器件流向电感器,导致所述电感器产生驱动电场,由此驱动机械阀门。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述源电流不足以驱动所述阀门。

3.如权利要求1所述的方法,其中步骤a被保持,直到通过电流传感元件测量到所述源电流达到第一预定水平。

4.如权利要求3所述的方法,其中步骤b被保持,直到通过所述电流传感元件测量到所述源电流达到第二预定水平。

5.如权利要求1所述的方法,其中步骤a和步骤b被执行预定的次数。

6.如权利要求5所述的方法,所述预定次数通过校准处理来确定,并且考虑了组件容限和环境温度。

7.如权利要求1所述的方法,其中在执行步骤a和步骤b时,第二开关是打开的。

8.如权利要求1所述的方法,还包括步骤:

(e)在所述阀门被驱动后,通过电流传感元件监视所述源电流;以及

(f)一旦所述源电流达到预定水平,重复步骤a和步骤b,以对所述能量存储器件再次充电。

9.如权利要求1所述的方法,其中所述第一开关为正常闭合耗尽模式MOSFET。

10.一种方法,其包括步骤:

(a)打开第一SPST开关并闭合第二SPST开关,由此正向偏压第一二极管,允许源电流流经电容器,为所述电容器充电;

(b)打开所述第二开关,由此反向偏压第二二极管,并保持所述电容器的充电;

(c)闭合所述第一开关,由此允许所述源电流流经螺线管线圈;

(d)打开所述第一开关,由此正向偏压所述第二二极管,并利用螺线管线圈的感应迫使充电电流流经所述电容器;

(e)重复步骤c和步骤d,直到所述电容器被充分地充电;

(f)依据命令,闭合所述第一开关和所述第二开关,由此反向偏压所述第一二极管和所述第二二极管,并迫使放电电流从所述电容器流向所述螺线管线圈,导致所述螺线管线圈产生驱动磁场,由此驱动机械阀门。

11.如权利要求10所述的方法,其中所述源电流不足以产生能够驱动阀门的驱动磁场。

12.如权利要求10所述的方法,其中步骤c被保持,直到通过电流传感元件测量到所述源电流达到第一预定水平。

13.如权利要求12所述的方法,其中步骤d被保持,直到通过所述电流传感元件测量到所述源电流达到第二预定水平。

14.如权利要求10所述的方法,其中步骤c和步骤d被执行预定的次数。

15.如权利要求14所述的方法,所述预定的次数通过校准处理来确定,并考虑了部件容限和环境温度。

16.如权利要求10所述的方法,其中在执行步骤c和步骤d时,所述第二开关是打开的。

17.如权利要求10所述的方法,进一步包括步骤:

(e)所述阀门被驱动后,通过电流传感元件监视源电流;和

(f)一旦所述源电流达到预定水平,重复步骤a和步骤b,为所述能量存储器件再次充电。

18.如权利要求1所述的方法,其中所述第一开关为正常闭合耗尽模式MOSFET。

19.一种电路,其包括:

电源,在节点a和b之间与传感元件和第一二极管串联;

在节点a和b之间的电感器;

在节点b和c之间的第一SPST开关;

在节点a和d之间的第二SPST开关;

在节点b和d之间的电容器;

在节点c和d之间的第二二极管;以及

控制器,监视所述传感元件,并至少部分地基于来自所述传感元件的输入来操作所述开关。

20.如权利要求19所述的电路,其中所述第一开关为正常闭合耗尽模式MOSFET。

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