[发明专利]用于传播延迟和EMI控制的方法和装置

权利要求书

1.一种电路，包括：

输出开关，在第一终端处耦合到源电位，在其第二终端处耦合到所述电路的输出终端，

驱动器电路，具有输入终端和输出终端，所述输出终端耦合到所述输出开关的控制输入，以及

延迟控制器，具有与所述驱动器电路的输入终端相耦合的第一终端，与所述输出开关的控制输入相耦合的第二终端和与所述源电位相耦合的第三终端，通过将所述输出开关的控制输入驱动到源电位，所述延迟控制器在所述第一终端响应预定的输入信号。

2.如权利要求1中的电路，其中所述延迟控制器包括开关装置，其近似同时地与所述输出开关一起变为导通或停止导通。

3.如权利要求2中的电路，其中所述开关装置和输出开关是同种类型的装置。

4.如权利要求2中的电路，其中所述开关装置和输出开关是晶体管。

5.如权利要求4中的电路，其中所述开关装置和输出开关具有近似相同的阈值电压。

6.如权利要求2中的电路，其中所述延迟控制器进一步包括电阻装置，其位于从所述输出开关的控制输入到源电位的电路通路上，降低电阻装置的电阻缩短了用于驱动所述输出开关的控制输入到所述源电位的时间。

7.如权利要求6中的电路，其中所述输出开关是场效应晶体管FET；所述开关装置是具有相似跳变特性的FET，其栅极与所述输出开关的栅极耦合，以及其源极耦合到所述源电位。

8.如权利要求7中的电路，其中所述电阻装置是FET，其栅极耦合到所述延迟控制器的第一终端，其漏极耦合到所述延迟控制器的第二终端，其源极耦合到所述开关装置的漏极。

9.如权利要求7中的电路，其中所述输出开关和所述开关装置是N型FET。

10.如权利要求7中的电路，其中所述输出开关和所述开关装置是P型FET。

11.如权利要求5中的电路，其中所述输出开关是双极型晶体管BJT；所述开关装置是具有相似跳变特性的BJT，其基极耦合到所述输出开关的基极，其发射极耦合到所述源电位。

12.如权利要求6中的电路，其中所述输出开关是绝缘栅双极型晶体管IGBT；所述开关装置是具有相似跳变特性的IGBT，其基极耦合到所述输出开关的基极，其发射极耦合到所述源电位。

13.如权利要求1中的电路，其中所述驱动电路包括一对互补FET。

14.一种电路，包括：

驱动器，接收输入电压并导通和关断输出开关；和

延迟控制器，耦合到所述驱动器和输出开关，

其中所述延迟控制器包括耦合到所述输出开关的开关装置，所述开关装置近似与所述输出开关同时地开关，以在所述输出开关处的输入电压的跳变和输出电压的跳变之间控制传播延迟。

15.一种方法，包括：

接收输入电压；

产生控制电压以控制提供输出电压的输出开关；

通过调节所述控制电压直到出现输出电压跳变，从而控制输入电压跳变和输出电压跳变之间的传播延迟，

其中所述传播延迟控制与所述输出电压的变化率无关。

16.如权利要求15中的方法，进一步包括：在所述输出开关和固定电压之间开启电流通路以调节所述控制电压。

17.如权利要求16中的方法，其中所述电流通路和输出开关近似同时地开关。

18.如权利要求17中的方法，进一步包括：在所述电流通路上调节电阻装置以降低传播延迟。

19.如权利要求16中的方法，其中通过耦合到所述输出开关的开关装置开关电流通路。

20.如权利要求16中的方法，其中所述固定电压是地。