[发明专利]具有用于编程、验证和读取的参考电压电平的适应性设置的非易失性多电平存储器

权利要求书

1.一种用于配置存储器器件的方法，包括：

测量对于存储器器件中的各个组的非易失性存储元件(1205)的各个阈值电压分布，所述非易失性存储元件是多电平存储元件；

基于相应的阈值电压分布确定对于每个相应组的非易失性存储元件的相应组的电压(V_PGM-i，V_V1-i)，该相应组的电压被定制用于所述相应组的非易失性存储元件；

将每组电压存储在非易失性存储位置(1354)中；以及

在存储之后，从所述非易失性存储位置获取各个组的电压中的至少一组，并使用各个组的电压中的该至少一组来进行涉及各个组的非易失性存储元件中的至少一组的写操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述测量、确定和存储发生在制造场所、在所述存储器器件被出厂到终端用户之前，并且所述获取和进行写操作发生在所述器件被出厂到终端用户之后。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中：

为存储器器件中的非易失性存储元件的不同块确定不同组的电压(V_PGM-i，V_V1-i)，非易失性存储元件的每个块可独立于非易失性存储元件的其他块而擦除。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中：

为存储器器件中的非易失性存储元件的块的不同分组确定不同组的电压，非易失性存储元件的每个块可独立于非易失性存储元件的其他块而擦除，每个分组包括一个或多个块，并且一个分组中的每块使用同一组电压。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中：

为存储器器件中的非易失性存储元件的字线的不同分组确定不同组的电压，每个分组包括一条或多条字线。

6.如权利要求1以及3-5的任意一项所述的方法，其中：

所述测量、确定、存储、获取和进行写操作发生在存储器器件从制造场所被出厂到终端用户之后。

7.如权利要求1-6的任意一项所述的方法，其中：

使用各个组的电压进行涉及各个组的非易失性存储元件的多个写操作。

8.如权利要求1-7的任意一项所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件在测量时存储测试数据；以及

所述非易失性存储元件在写操作之后存储用户数据。

9.如权利要求1-8的任意一项所述的方法，其中：

所述电压包括验证参考电压。

10.如权利要求1-8的任意一项所述的方法，其中：

所述电压包括写电压。

11.如权利要求1-10的任意一项所述的方法，其中：

所述非易失性存储位置在所述存储器器件中。

12.一种存储系统，包括：

各个组的非易失性存储元件(1205)，所述非易失性存储元件是多电平存储元件；

非易失性存储位置(1354)；以及

至少一个控制电路(1350)，所述至少一个控制电路：a)测量对于各个组的非易失性存储元件的各个阈值电压分布，b)基于各个阈值电压分布，确定对于每个相应组的非易失性存储元件的相应组的电压(V_PGM-i，V_V1-i)，该相应组的电压被定制用于相应组的非易失性存储元件，c)将每组电压存储在所述非易失性存储位置中，以及d)在存储之后，从所述非易失性存储位置获取各个组的电压中的至少一组，并使用各个组的电压中的该至少一组来进行涉及各个组的非易失性存储元件中的至少一组的写操作。

13.如权利要求12所述的存储系统，其中：

所述至少一个控制电路为所述存储系统中的非易失性存储元件的不同块确定不同组的电压，非易失性存储元件的每个块可独立于非易失性存储元件的其他块而擦除。

14.如权利要求12所述的存储系统，其中：

所述至少一个控制电路为存储系统中的非易失性存储元件的块的不同分组确定不同组的电压，非易失性存储元件的每个块可独立于非易失性存储元件的其他块而擦除，每个分组包括一个或多个块，并且一个分组中的每块使用同一组电压。

15.如权利要求12所述的存储系统，其中：

所述至少一个控制电路为存储系统中的非易失性存储元件的字线的不同分组确定不同组的电压，每个分组包括一条或多条字线。