[发明专利]发光器件和制造发光器件的方法

说明书

技术领域

本实施例涉及发光器件和制造发光器件的方法。

背景技术

最近，发光二极管(LED)被关注作为发光器件。由于LED能够高效率地将电能转换为光能，并且具有大约5年或更长的寿命，所以LED能够显著地减少能量消耗以及维修和维护的成本。在这方面，在下一代照明领域中，LED受到关注。

可将LED制备为：包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光半导体层，在其中，有源层根据通过第一和第二导电半导体层而施加到其上的电流来产生光。

同时，因为由于低载流子浓度和迁移率导致第二导电半导体层具有相对高的薄层电阻(sheet resistance)，所以LED需要包括ITO(氧化铟锡)、或者ZnO(氧化锌)的电流扩展层，以形成相对于第二导电半导体层的欧姆接触界面。

为了允许从有源层产生的光被尽可能地发射到外部，必须提高LED的光提取效率。在这方面，已经进行了在第二导电半导体层上形成具有凹凸图案的光提取结构的调查和研究。然而，当凹凸图案被形成在第二导电半导体层上时，可能会降低LED的电气特性。

发明内容

技术问题

实施例提供了具有新颖的结构的发光器件和制造发光器件的方法。

实施例提供了具有改善的电气特性的发光器件和制造发光器件的方法。

实施例提供了具有改善的高效率的发光器件和制造发光器件的方法。

技术方案

根据实施例的发光器件包括：支撑衬底；支撑衬底上方的平面层；平面层上方的晶片结合层；晶片结合层上方的电流扩展层；电流扩展层上方的第二导电半导体层；第二导电半导体层上方的有源层；有源层上方的第一导电半导体层；第一导电半导体层上方的第一电极层；以及电流扩展层上方的第二电极层。

根据实施例的发光器件可以包括：支撑衬底；支撑衬底上方的金属厚膜层；金属厚膜层上方的晶片结合层；晶片结合层上方的电流扩展层；电流扩展层上方的第二导电半导体层；第二导电半导体层上方的有源层；有源层上方的第一导电半导体层；第一导电半导体层上方的第一电极层；以及电流扩展层上方的第二电极层。

有益效果

实施例可以提供具有新颖的结构的发光器件和制造发光器件的方法。

实施例可以提供具有改善的电气特性的发光器件和制造发光器件的方法。

实施例提供具有改善的高效率的发光器件和制造发光器件的方法。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的结构的截面图；

图2是示出根据第二实施例的发光器件的结构的截面图；

图3是示出根据第三实施例的发光器件的结构的截面图；

图4是示出根据第四实施例的发光器件的结构的截面图；

图5至图11是示出用于制造根据第一实施例的发光器件的流程的截面图；

图12是示出根据第五实施例的发光器件的结构的截面图；

图13是示出根据第六实施例的发光器件的结构的截面图；

图14是示出根据第七实施例的发光器件的结构的截面图；

图15是示出根据第八实施例的发光器件的结构的截面图；以及

图16至图21是示出用于制造根据第五实施例的发光器件的流程的截面图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一衬垫、或另一图案“上”或“下”时，其可以“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、衬垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的位置。

为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性地绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

图1是示出根据第一实施例的发光器件的结构的截面图。

参考图1，支撑衬底101被形成在反射层303上，并且平面层102被形成在支撑衬底101上。

另外，第一晶片结合层103和第二晶片结合层207被形成在平面层102上，并且电流扩展层206被形成在第二晶片结合层207上。

包括第二导电半导体层205、有源层204、以及第一导电半导体层203的发光半导体层被形成在电流扩展层206上。

同时，第一电极层301被形成在第二导电半导体层205上，并且电流扩展层206和发光半导体层被选择性地蚀刻，使得电流扩散层206的一部分暴露在外部，并且第二电极302被形成在电流扩展层206的暴露的部分上。