[发明专利]发光器件和制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

支撑衬底；

所述支撑衬底上方的平面层；

所述平面层上方的晶片结合层；

所述晶片结合层上方的电流扩展层；

所述电流扩展层上方的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上方的有源层；

所述有源层上方的第一导电半导体层；

所述第一导电半导体层上方的第一电极层；以及

所述电流扩展层上方的第二电极层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述支撑衬底下面的反射层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和所述第一电极层之间的欧姆接触电极层。

4.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和欧姆接触电极层之间的光提取结构层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层上方的光提取结构层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层和所述电流扩展层之间的超晶格结构层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，形成所述支撑衬底，在所述支撑衬底的顶表面上具有凹凸结构。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述晶片结合层包括SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、ZnO、ZnS、MgF₂、或者SOG(旋转涂布玻璃)中的一个。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层包括Ni-Au-O、ITO、以及ZnO中的一个。

10.一种发光器件，包括：

支撑衬底；

所述支撑衬底上方的金属厚膜层；

所述金属厚膜层上方的晶片结合层；

所述晶片结合层上方的电流扩展层；

所述电流扩展层上方的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上方的有源层；

所述有源层上方的第一导电半导体层；

所述第一导电半导体层上方的第一电极层；以及

所述电流扩展层上方的第二电极层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和所述第一电极层之间的欧姆接触层。

12.根据权利要求11所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和所述欧姆接触电极层之间的光提取结构层。

13.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括所述第一导电半导体层上方的光提取结构层。

14.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层和所述电流扩展层之间的超晶格结构层。

15.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述金属厚膜层包括从Cu、Ag、Au、Ni、Ti、Nb、W、Cr、NiCr以及CuW组成的组中选择的至少一个。

16.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述电流扩展层包括从Al、Ag、Cu、Pt、Pd以及Au组成的组中选择的至少一个。