[发明专利]接触装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于接触太阳能电池晶片的装置。

背景技术

在UK专利申请0709619.1中，描述了一种用于向液体暴露太阳能电池晶片的装置，包括填充有液体的容器；用于输送晶片通过液体的输送装置；以及用于与输送装置一起地携带晶片的载运装置。

在UK专利申请0719805.4中，示出了一种用于向至少部分地在液体中浸没的晶片供应电力的装置，包括填充有液体的液体容器；包括用于输送至少部分地浸没的晶片通过液体的晶片载运装置的输送装置；以及用于向晶片供应电力的电源装置。

例如在其中例如将Ni、Cu、Sn和/或Ag涂覆到晶片的电镀工艺中使用了这些公布。

在这个工艺中的挑战在于向晶片提供电接触而不向晶片施加可能引起晶片断裂的强机械力。此外，需要为太阳能电池的大规模生产提高工艺速度。在电镀时，这是通过增加被施加到晶片的电流密度来实现的，因为在晶片表面上沉积的金属原子的数目与被施加到晶片的电流成正比。然而，对于电流密度而言，存在上限，称为限制扩散电流密度I_L(I_L＝(nFD_oxC_b)/δ)。(参考第97页，M.Paunovic和M.Schlesinger，Fundamentals of Electrochemical Deposition，Second Ed.，pp.97，John Wiley and Sons，2006)。I_L是使得离子到电极/溶液界面的质量输送开始变成总体反应速率的限制因素的电流值。通过增加在溶液/电极界面处的搅动，能斯特(Nernst)扩散层δ变得更小。依次地，这意味着I_L增加并且金属的理论沉积速率能够得以增加。

本发明的目的是改进到晶片的电接触，从而以上条件能够得以满足。具体地，该装置使得能够当将接触施加到晶片时从同一侧产生湍流搅拌，而在同时晶片通过该工艺连续地向前移动。

发明内容

本发明涉及一种用于在浸没于液体期间接触晶片的装置，包括：

-主体，所述主体被固定到输送装置；

-电触点，所述电触点用于接触晶片；

-压力元件，所述压力元件用于朝向晶片按压电触点和晶片。

在本发明的一个方面中，电触点被设置在压力元件上。

在本发明的一个方面中，压力元件可移动地连接到主体。

在本发明的一个方面中，压力元件包括浮动元件。

在本发明的一个方面中，主体包括适于接收晶片的端部的凹槽。

在本发明的一个方面中，电触点包括向上凸出的触点。

在本发明的一个方面中，该向上凸出的触点被连接到用于连接到汇流条的总线连接器。

在本发明的一个方面中，该向上凸出的触点利用电线而被连接到总线连接器。

在本发明的一个方面中，该装置包括具有独立浮动元件的几个可独立移动的压力元件。

附图说明

现在将参考附图来详细地描述本发明的实施例，其中：

图1示出保持两个晶片的三个保持装置的透视图；

图2示出图1的侧视图；

图3示出图2中的保持装置之一的放大侧视图；

图4示出从图4中的保持装置之一下方看到的透视图；

图5示出图2中的保持装置的侧视图，其中省略了一些部分；

图6示出图5中的保持装置的透视图；

图7a示出保持装置的第二实施例的透视图；

图7b示出第二实施例的侧视图；

图7c示出第二实施例的浮动元件；

图7d示出第二实施例的前视图；

图8a示出保持装置的第三实施例和汇流条的透视图；

图8b示出图8a中的保持装置和汇流条的侧视图；

图8c示出图8a中的保持装置和汇流条的前视图；

图8d示出第三实施例的透视图，其中去除了主体；

图8e示出主体的前视图；

图9示出第四实施例的半透明透视图；

图10a示出第五实施例的半透明透视图；

图10b示出图10a的第五实施例的侧视图。

具体实施方式