[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件及其制造方法。

背景技术

最近，发光二极管(LED)被关注作为发光器件。由于LED能够高效率地将电能转换为光能并且具有大约5年或更长的寿命，所以LED能够显著地减少能量消耗以及维修并且维护成本。在这点，在下一代发光领域中关注照明LED。

此LED包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，其中有源层根据被施加给第一和第二导电半导体层的电流产生光。

同时，LED要求电流扩展层将光分散在第二导电半导体层的整个区域并且光提取结构必须形成在电流扩展层上以允许从有源层产生的光被发射到LED的外面而没有在LED中消失。

然而，光提取结构可能不容易形成在电流扩展层上并且当光提取结构形成在电流扩展层上时电流扩展层可能被损坏。

发明内容

技术问题

实施例提供具有新颖的结构的发光器件及其制造方法。

实施例提供具有光提取结构的发光器件及其制造方法。

实施例提供能够提高光效率的发光器件及其制造方法。

[技术解决方案]

根据实施例的发光器件可以包括第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的电流扩展层；电流扩展层上的结合层；以及结合层上的光提取结构。

根据实施例的发光器件可以包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的电流扩展层；电流扩展层上的结合层；结合层上的光提取结构；以及导电通孔，该导电通孔形成为穿过结合层以将电流扩展层电气地连接至光提取结构。

根据实施例的制造发光器件的方法可以包括下述步骤：在生长衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光半导体层，并且在发光半导体层上形成电流扩展层；在临时衬底上形成牺牲分离层并且在牺牲分离层上形成光提取层；通过在电流扩展层与光提取层之间插入结合层之后将电流扩展层与光提取层结合来形成复合结构；从复合结构移除牺牲分离层和临时衬底；在光提取层的表面上形成纹理或者图案；以及执行蚀刻工艺而部分地暴露电流扩展层和第一导电半导体层，从而在第一导电半导体层上形成第一电极层以及在电流扩展层上形成第二电极层。

根据实施例的制造发光器件的方法可以包括下述步骤：在生长衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光半导体层，并且在发光半导体层上形成电流扩展层；在临时衬底上形成牺牲分离层并且在牺牲分离层上形成光提取层；通过在电流扩展层与光提取层之间插入结合层之后将电流扩展层与光提取层结合形成复合结构；从复合结构移除牺牲分离层和临时衬底；在光提取层的表面上形成纹理或者图案；形成穿过光提取层和结合层的通孔并且用具有导电性的材料填充通孔；以及执行蚀刻工艺从而部分地暴露第一导电半导体层，从而在第一导电半导体层上形成第一电极层以及在光提取层上形成第二电极层。

有益效果

实施例能够提供具有新颖的结构的发光器件及其制造方法。

实施例能够提供具有光提取结构的发光器件及其制造方法。

实施例能够提供能够提高光效率的发光器件及其制造方法。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；以及

图3至图14是示出用于制造根据实施例的发光器件的过程的视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，应该理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案的“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一个衬底上、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。

为了方便或清楚起见，附图所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件及其制造方法。

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。

参考图1，根据第一实施例的发光器件1包括其上形成有缓冲层110的生长衬底10、第一导电半导体层20、有源层30、第二导电半导体层40、电流扩展层50、结合层80、以及光提取结构90。另外，第一电极层70形成在第一导电半导体层20上并且第二电极层60形成在电流扩展层50上。

生长衬底10可以包括蓝宝石或者碳化硅(SiC)。