[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

所述第一导电半导体层上的有源层；

所述有源层上的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上的电流扩展层；

所述电流扩展层上的结合层；以及

所述结合层上的光提取结构。

2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第一导电半导体层下面的缓冲层和生长衬底。

3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第一导电半导体层上的第一电极层，其中至少部分所述第一电极层在水平方向上与所述第一导电半导体层重叠。

4.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述电流扩展层上的第二电极层，其中至少部分所述第二电极层在水平方向上与所述结合层重叠。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述电流扩展层与所述第二导电半导体层形成欧姆接触并且所述第二电极层与所述电流扩展层形成肖特基接触。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述结合层包括电绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述结合层包括从由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、ZnO、ZnS、MgF₂、以及SOG(旋塗玻璃)组成的组中选择的一个。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构具有表面纹理或者图案，并且包括外延负极性六边形表面或者外延混合极性六边形表面。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构包括具有氮极性的III簇氮化物基元素或者具有氧极性的II簇氧化物基元素。

10.一种发光器件，包括：

第一导电半导体层；

所述第一导电半导体层上的有源层；

所述有源层上的第二导电半导体层；

所述第二导电半导体层上的电流扩展层；

所述电流扩展层上的结合层；

所述结合层上的光提取结构；以及

导电通孔，所述导电通孔形成为穿过所述结合层以将所述电流扩展层电气地连接至所述光提取结构。

11.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括所述第一导电半导体层下面的缓冲层和生长衬底。

12.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括所述第一导电半导体层上的第一电极层和所述光提取结构上的第二电极层。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述结合层包括电绝缘材料。

14.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在生长衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光半导体层，以及在所述发光半导体层上形成电流扩展层；

在临时衬底上形成牺牲分离层并且在所述牺牲分离层上形成光提取层；

通过在所述电流扩展层和所述光提取层之间插入结合层之后将所述电流扩展层与所述光提取层结合来形成复合结构；

从所述复合结构移除所述牺牲分离层和所述临时衬底；

在所述光提取层的表面上形成纹理或者图案；以及

执行蚀刻工艺从而部分地暴露所述电流扩展层和所述第一导电半导体层，从而在所述第一导电半导体层上形成第一电极层，并且在所述电流扩展层上形成第二电极层。

15.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在生长衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光半导体层，并且在所述发光半导体层上形成电流扩展层；

在临时衬底上形成牺牲分离层并且在所述牺牲分离层上形成光提取层；

通过在所述电流扩展层和所述光提取层之间插入结合层之后将所述电流扩展层与所述光提取层结合来形成复合结构；

从所述复合结构移除所述牺牲分离层和所述临时衬底；

在所述光提取层的表面上形成纹理或者图案；

穿过所述光提取层和所述结合层形成通孔并且使用具有导电性的材料填充通孔；以及

执行蚀刻工艺而部分地暴露所述第一导电半导体层，从而在所述第一导电半导体层上形成第一电极层，以及在所述光提取层上形成第二电极层。