[发明专利]节省电子器件制造资源的方法与装置无效
| 申请号： | 200980110628.4 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101981653A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·O·克拉克;菲尔·钱德勒;杰伊·J·俊 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 节省 电子器件 制造 资源 方法 装置 | ||
1.一种操作电子器件制造系统的方法，包括以下步骤：
当处理工具在处理模式下进行操作时，将惰性气体以第一流率引入处理工具真空泵中；以及
当所述处理工具在清洁模式下进行操作时，将所述惰性气体以第二流率引入所述处理工具真空泵中。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：
当所述真空泵未进行操作时，将所述惰性气体以第三流率引入所述处理工具真空泵中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三流率是足以防止周遭空气进入所述泵和将所述泵与所述处理工具连接的导管中的流率。
4.一种操作电子器件制造系统的方法，包括以下步骤：
当减排工具对其排出物进行减排处理所针对的处理工具在处理模式下进行操作时，将惰性气体以第一流率引入所述减排工具的入口中；以及
当所述处理工具在清洁模式下进行操作时，将所述惰性气体以第二流率引入所述减排工具的所述入口中。
5.根据权利要求4所述的操作电子器件制造系统的方法，其中，所述第二流率是零流率。
6.根据权利要求4所述的操作电子器件制造系统的方法，还包括以下步骤：
当所述处理工具未进行操作时，将所述惰性气体以第三流率引入所述减排工具的所述入口中。
7.根据权利要求6所述之操作电子器件制造系统的方法，其中，所述第三流率是零流率。
8.根据权利要求4所述的操作电子器件制造系统的方法，其中，所述惰性气体被引入至所述减排工具的所述入口中，使得形成所述惰性气体的环形保护层。
9.一种操作电子器件制造系统的方法，包括以下步骤：
将来自电子器件制造工具的臭氧排出物导入减排工具中作为氧化剂使用。
10.根据权利要求9所述的操作电子器件制造系统的方法，其中，所述臭氧系被导入所述减排工具的氧化剂供应导管。
11.一种电子器件制造系统，包括：
处理工具；
臭氧供应源，其适于将臭氧供应至所述处理工具；
减排单元，其适于接收来自所述处理工具的排出物；以及
导管，其将所述减排单元连接至所述处理工具，所述导管适于将从所述处理工具排出的臭氧导入所述减排单元中作为氧化剂。
12.根据权利要求11所述的电子器件制造系统，其中，所述导管将所述臭氧导入所述减排工具的氧化剂供应导管中。
13.根据权利要求11所述的电子器件制造系统，其中，所述导管将所述臭氧导入所述减排工具的氧化剂供应源中。
14.根据权利要求11所述的电子器件制造系统，其中，所述导管将所述臭氧在与其它被导入所述减排工具的氧化剂分离的情况下导入所述减排工具中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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