[发明专利]闭回路控制及等离子体掺杂制程中利用飞行时间离子侦测器的制程最佳化无效
| 申请号: | 200980109802.3 | 申请日: | 2009-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101978476A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
| 发明(设计)人: | 戴文·M·洛吉;卢多维克·葛特;伯纳德·G·琳赛;提摩太·J·米勒;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 回路 控制 等离子体 掺杂 制程中 利用 飞行 时间 离子 侦测 最佳 | ||
1.一种利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,包括:
a.于一等离子体腔中产生一等离子体,该等离子体接近一平台,该平台承载一基板,该等离子体包括多个掺杂离子;
b.利用一偏压波形偏压该平台,该偏压波形具有一负电压,该负电压将该等离子体中的离子吸引至该基板,以进行等离子体掺杂;
c.利用一飞行时间离子侦测器量测该等离子体中的离子的一谱,其中该谱为离子重量的函数;
d.分析离子的该谱,该谱为离子重量的函数,以测定该等离子体中的至少一离子的一相对数量;以及
e.依据该谱的分析结果修改至少一等离子体掺杂参数。
2.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中量测离子的该谱的方法包括量测该等离子体中的离子飞越过一已知距离所需的时间,然后以离子的飞行时间比对出离子的种类。
3.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中分析离子的该谱的方法包括比较离子的该谱以及离子的一模型谱。
4.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括终止该等离子体掺杂制程。
5.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括修改偏压该平台的该偏压波形。
6.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括提供该基板一剂量修正。
7.一种利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,包括:
a.于一等离子体腔中产生一等离子体,该等离子体接近一平台,该平台承载一基板,该等离子体包括多个掺杂离子;
b.利用一偏压波形偏压该平台,该偏压波形具有一负电压,该负电压将该等离子体中的离子吸引至该基板,以进行等离子体掺杂;
c.利用一飞行时间离子侦测器量测该等离子体中的离子的一谱,其中该谱为离子重量的函数;
d.从离子的该谱判定一布植曲线,该谱为离子重量的函数;以及
e.依据该布植曲线修改至少一等离子体掺杂参数。
8.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中量测离子的该谱的方法包括量测该等离子体中的离子飞越过一已知距离所需的时间,然后以离子的飞行时间比对出离子的种类。
9.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中从离子的该谱判定一布植曲线的方法包括比较离子的该谱以及离子的一模型谱。
10.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中从离子的该谱判定一布植曲线的方法包括在该谱中判定离子的相对数量的比例。
11.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括终止该等离子体掺杂制程。
12.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括修改偏压该平台的该偏压波形。
13.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括提供该基板一剂量修正。
14.一种利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,包括:
a.于一等离子体腔中产生一等离子体,该等离子体接近一平台,该平台承载一基板,该等离子体包括多个掺杂离子;
b.利用一偏压波形偏压该平台,该偏压波形具有一负电压,该负电压将该等离子体中的离子吸引至该基板,以进行等离子体掺杂;
c.利用一飞行时间离子侦测器量测该等离子体中的离子的一谱,其中该谱为离子重量的函数;
d.利用一法拉第量测系统量测撞击该基板的离子总数;
e.从离子的该谱判定一布植曲线;
f.从离子总数与该布植曲线判定一积分剂量;以及
g.依据该积分剂量修改至少一等离子体掺杂参数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980109802.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有双空穴阻挡层的磷光有机发光器件
- 下一篇:电泳沉积的阴极电容器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





