[发明专利]闭回路控制及等离子体掺杂制程中利用飞行时间离子侦测器的制程最佳化无效

专利信息
申请号: 200980109802.3 申请日: 2009-02-12
公开(公告)号: CN101978476A 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 戴文·M·洛吉;卢多维克·葛特;伯纳德·G·琳赛;提摩太·J·米勒;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 美国麻*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 回路 控制 等离子体 掺杂 制程中 利用 飞行 时间 离子 侦测 最佳
【权利要求书】:

1.一种利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,包括:

a.于一等离子体腔中产生一等离子体,该等离子体接近一平台,该平台承载一基板,该等离子体包括多个掺杂离子;

b.利用一偏压波形偏压该平台,该偏压波形具有一负电压,该负电压将该等离子体中的离子吸引至该基板,以进行等离子体掺杂;

c.利用一飞行时间离子侦测器量测该等离子体中的离子的一谱,其中该谱为离子重量的函数;

d.分析离子的该谱,该谱为离子重量的函数,以测定该等离子体中的至少一离子的一相对数量;以及

e.依据该谱的分析结果修改至少一等离子体掺杂参数。

2.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中量测离子的该谱的方法包括量测该等离子体中的离子飞越过一已知距离所需的时间,然后以离子的飞行时间比对出离子的种类。

3.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中分析离子的该谱的方法包括比较离子的该谱以及离子的一模型谱。

4.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括终止该等离子体掺杂制程。

5.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括修改偏压该平台的该偏压波形。

6.根据权利要求1所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括提供该基板一剂量修正。

7.一种利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,包括:

a.于一等离子体腔中产生一等离子体,该等离子体接近一平台,该平台承载一基板,该等离子体包括多个掺杂离子;

b.利用一偏压波形偏压该平台,该偏压波形具有一负电压,该负电压将该等离子体中的离子吸引至该基板,以进行等离子体掺杂;

c.利用一飞行时间离子侦测器量测该等离子体中的离子的一谱,其中该谱为离子重量的函数;

d.从离子的该谱判定一布植曲线,该谱为离子重量的函数;以及

e.依据该布植曲线修改至少一等离子体掺杂参数。

8.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中量测离子的该谱的方法包括量测该等离子体中的离子飞越过一已知距离所需的时间,然后以离子的飞行时间比对出离子的种类。

9.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中从离子的该谱判定一布植曲线的方法包括比较离子的该谱以及离子的一模型谱。

10.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中从离子的该谱判定一布植曲线的方法包括在该谱中判定离子的相对数量的比例。

11.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括终止该等离子体掺杂制程。

12.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括修改偏压该平台的该偏压波形。

13.根据权利要求7所述的利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,其中修改至少一等离子体掺杂参数包括提供该基板一剂量修正。

14.一种利用一飞行时间离子侦测器来控制等离子体掺杂制程的方法,包括:

a.于一等离子体腔中产生一等离子体,该等离子体接近一平台,该平台承载一基板,该等离子体包括多个掺杂离子;

b.利用一偏压波形偏压该平台,该偏压波形具有一负电压,该负电压将该等离子体中的离子吸引至该基板,以进行等离子体掺杂;

c.利用一飞行时间离子侦测器量测该等离子体中的离子的一谱,其中该谱为离子重量的函数;

d.利用一法拉第量测系统量测撞击该基板的离子总数;

e.从离子的该谱判定一布植曲线;

f.从离子总数与该布植曲线判定一积分剂量;以及

g.依据该积分剂量修改至少一等离子体掺杂参数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980109802.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top