[发明专利]包含多栅极晶体管的系统和装置及其使用、制造和操作方法

权利要求书

1.一种装置，其包括：

数字线；

多个晶体管，其各自具有连接到所述数字线的一个端子和安置于所述数字线的交替侧上的另一端子，其中所述多个晶体管中的每一晶体管包括鳍。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述鳍大体上以六方晶格来布置。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述鳍包括一间隙和两个支脚。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述两个支脚各自包括第一掺杂区和第二掺杂区的一部分，且其中所述间隙是以电介质材料来至少部分填充。

5.根据权利要求3所述的装置，其中存储器元件连接到所述两个支脚中的一者。

6.根据权利要求2所述的装置，其中鳍从大体上椭圆形基座延伸。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述数字线为大体上直的。

8.一种方法，其包括：

从包括半导电材料的衬底，形成包括所述半导电材料且从所述衬底延伸的多个柱状物，其中所述多个柱状物中的每一柱状物包括安置于所述柱状物的远端部分附近的管。

9.根据权利要求8所述的方法，其中每一柱状物包括安置于所述管与所述衬底之间的柱体。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个柱状物大体上以六方晶格来布置。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个柱状物中的每一柱状物界定大体上正椭圆形柱体。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述管具有大体上椭圆形形状。

13.根据权利要求8所述的方法，其包括以电介质大体上围绕所述多个柱状物且以所述电介质至少部分填充所述管的内部。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述管包括包含第一掺杂剂的远端部分和包含不同于所述第一掺杂剂的第二掺杂剂的另一部分。

15.一种方法，其包括：

通过第一光刻步骤大体上界定鳍式场效晶体管的位置和第一尺寸两者；以及

通过第二光刻步骤形成所述鳍式场效晶体管，其中所述鳍式场效晶体管是通过两个或更少光刻步骤而形成。

16.根据权利要求15所述的方法，其中通过第一光刻步骤来大体上界定鳍式场效晶体管的位置和第一尺寸两者包括以具有多个细长结构的掩模来图案化衬底。

17.根据权利要求16所述的方法，其中以掩模来图案化衬底包括以具有多个大体上正椭圆形柱体的掩模来图案化衬底。

18.根据权利要求16所述的方法，其包括：

形成邻近于所述掩模的外侧壁间隔物；以及

蚀刻衬底的未由所述掩模或所述外侧壁间隔物覆盖的部分。

19.根据权利要求18所述的方法，其包括：

覆盖所述衬底的经蚀刻区；

移除所述掩模；

形成邻近于所述外侧壁间隔物的内侧壁间隔物；以及

蚀刻所述衬底的位于所述内侧壁间隔物的内部下的另一区。

20.一种装置，其包括：

存储器装置，其包括：

多个字线，其在第一方向上延伸；

多个数据线，其在第二方向上延伸；

鳍，其连接到所述多个数据线中的所述数据线中的一者，且安置成邻近于所述多个字线中的所述字线中的两个且在所述两个字线之间，其中所述鳍从大体上椭圆形基座延伸。

21.根据权利要求20所述的装置，其中所述鳍包括源极、漏极和安置于所述源极与所述漏极之间的电介质材料。

22.根据权利要求20所述的装置，其中所述数据线未在所述鳍上起伏。

23.根据权利要求20所述的装置，其中所述鳍包括分开一间隙的两个支脚。

24.一种晶体管，其包括：

鳍，其从基座延伸，所述鳍包括：

第一支脚；

间隙，其为大体上椭圆形形状的区段；

第二支脚，其与所述第一支脚分开所述间隙；以及

一对侧壁间隔物栅极，其安置于所述鳍的相对侧上。

25.根据权利要求24所述的晶体管，其中所述对侧壁间隔物栅极与所述第一支脚和所述第二支脚两者重叠。