[发明专利]用于动态移动基板的等离子体处理的线性等离子体源

说明书

技术领域

本发明的实施方式大致涉及用于有机发光二极管(OLED)制造的滚筒至滚筒(Roll to Roll)处理设备。

背景技术

与液晶显示器(LCD)相比，近来OLED显示器在显示器应用上基于其快速响应时间、较大视角、较高对比度、重量较轻、低耗电及对柔性基板的顺从性已引起人们显著的兴趣。除了用于OLED的有机材料外，亦已开发很多聚合物材料以用于小分子、柔性有机发光二极管(FOLED)及聚合物发光二极管(PLED)显示器。很多这些有机及聚合物材料对于在一基板范围上制造复杂、多-层组件具有顺应性，使其可理想的用于多种透明多色显示器应用，如薄型平板显示器(FPD)、电泵浦有机激光器、及有机光学放大器。

在近年来，在显示设备中的层已发展为多层，且每一层提供不同的功能。在多个基板上沉积多层可能需要多个处理室。传送多个基板使其通过多个处理室可能降低基板产出量。因此，在此技术领域中需要一处理OLED结构的有效方法及设备，确保基板产出量最大化且减少基板传送。

发明内容

本发明大致涉及用于在当基板移动穿过处理室时在基板上沉积一个层的方法及设备。此基板可沿一滚筒至滚筒系统移动。滚筒至滚筒系统是这样一种系统，其中该基板自第一滚筒卷出，使得基板可进行处理并接着在处理后再卷绕于一个第二滚筒上。当基板移动通过处理室时，等离子体源可产生等离子体。施加至基板的电偏压可引导等离子体至基板，并因此允许当基板移动通过处理室时，材料沉积于基板上。

在一实施例中，此设备包含一基板处理室，其具有多个壁及一或多个置于处理室中的可转动处理滚轮。该设备亦包含将多个填块设置于基板处理室内并彼此间隔以允许当基板通过基板处理室时，基板通过其间。该设备亦包含一或多个Mu-等离子体源，其耦接至处理室。

在另一实施例中，一卷筒处理(web processing)设备包括一基板处理室及一或多个Mu-等离子体源，其耦接至处理室且能够点燃一大致线性的等离子体。

在另一实施例中，一卷筒处理方法包含在一滚筒至滚筒基板传输系统上移动一基板使其通过一处理室。此处理室具有多个填块，其彼此间隔以允许基板通过其间。此方法亦包含施加一电偏压至一Mu-等离子体源以从远离基板处点燃一大致线性的等离子体。此大致线性的等离子体是大致垂直于基板移动的方向。此方法亦包含施加一电偏压至基板并引导等离子体至基板并当基板移动通过处理室时，沉积一层于基板上。

附图说明

所以，以本发明的前述特征可进一步了解的方式，本发明如前文中概述的那样，可配合在附图中说明的实施例而有一较详细的描述，且部分为述于附图中。然而，需注意附图为仅用于说明本发明的基本实施例且因此不应被视为限制本发明的范围，因为本发明容许其它相等功效的实施例。

为了促进了解，尽可能使用相同的组件标号以指定在图中共享的相同组件。在未特别述明下，亦预期一实施例的组件及特征可有利的并入其它实施例。

图1是根据本发明一实施例的OLED结构100。

图2A是根据本发明一实施例的处理室200的横截面图。

图2B是图2A的处理室200的透视图，为了清晰，已将反应室壁及填料214移除。

图3是本发明另一实施例的处理室300的横截面图。

图4A是本发明另一实施例的处理室400的横截面图。

图4B是图4A的处理室400的部分的侧横截面图。

具体实施方式

本发明大致涉及用于在当基板移动穿过一处理室时在基板上沉积一个层的方法及设备。此基板可沿一滚筒至滚筒系统移动。滚筒至滚筒系统是这样一种系统，其中该基板自第一滚筒卷出，使得基板可进行处理并接着在处理后再卷绕于一个第二滚筒上。当基板移动通过处理室时，等离子体源可产生等离子体。施加至基板的电偏压可引导等离子体至基板，并因此允许当基板移动通过处理室时将材料沉积于基板上。

图1是本发明一实施例的OLED结构100。结构100包括基板102。在一实施例中，基板102是柔性的、滚筒至滚筒基板。需了解当基板102被描述为滚筒至滚筒基板时，亦可使用其它基板以产生包括碱石灰玻璃基板、硅基板、半导体晶片、多边形基板、大面积基板、及平板显示器基板的OLED。

在基板102上，可沉积阳极104。在一实施例中，阳极104可包括一金属，如铬、铜、或铝。在另一实施例中，阳极104可包括一透明材料，如氧化锌、氧化铟-锡等。阳极104可具有介于约及约之间的厚度。