[发明专利]用于动态移动基板的等离子体处理的线性等离子体源

权利要求书

1.一种设备，包含：

基板处理室，其具有多个壁；

一或多个可转动处理滚轮，其设置于基板处理室内；

多个填块，其设置于基板处理室内并彼此间隔，以允许当基板通过基板处理室时让基板通过其间；及

一或多个Mu-等离子体源，其耦接至处理室。

2.如权利要求1所述的设备，其中在通过处理室的基板与多个填块之间的距离小于等离子体暗区。

3.如权利要求2所述的设备，其中多个填块与一或多个可转动处理滚轮共同占处理室体积的约90％，且其中填块不会被置于在一或多个可转动处理滚轮及一或多个等离子体源之间的一直视路径内。

4.如权利要求1所述的设备，其中Mu-等离子体源包括：

等离子体管，其耦接至多个处理室壁的一或多个；及

在等离子体管内产生电感耦合等离子体的构件。

5.如权利要求4所述的设备，其中在等离子体管内产生电感耦合等离子体的构件包括：

一或多个铁氧体块，其大致环绕着等离子体管；及

一或多个驱动线圈，其大致环绕着一或多个铁氧体块。

6.如权利要求5所述的设备，其中等离子体管还包括从中央主体延伸的二个臂部分，其中每个臂的端部耦接至处理室壁。

7.一种卷筒处理设备，包含：

基板处理室；及

一或多个Mu-等离子体源，其与处理室耦接并能够点燃一大致线性的等离子体。

8.如权利要求7所述的设备，其中Mu-等离子体源包括：

等离子体管，其耦接至处理室；

一或多个铁氧体块，其大致环绕着等离子体管；及

一或多个驱动线圈，其大致环绕着一或多个铁氧体块。

9.如权利要求8所述的设备，其中等离子体管还包括从中央主体延伸的二个臂部分，其中每个臂的端部耦接至处理室。

10.如权利要求9所述的设备，还包含RF电源，其耦接至一或多个驱动线圈，其中一或多个驱动线圈包括多匝线圈。

11.一种卷筒处理方法，包含：

在滚筒至滚筒基板传输系统上移动一基板使其通过处理室，处理室具有多个填块，其彼此间隔以允许基板通过其间；

将一电偏压施加至一Mu-等离子体源以在远离基板处点燃一大致线性的等离子体，大致线性的等离子体是大致垂直于基板移动的方向；

将一电偏压施加至基板，并将等离子体引导至基板；及

当基板正移动通过处理室时，在基板上沉积一个层。

12.如权利要求11所述的方法，还包含在处理室内第一方向上使至少一个处理滚轮转动，并在处理室内与第一方向相反的第二方向上使至少一个其它的处理滚轮转动。

13.如权利要求11所述的方法，其中Mu-等离子体源包括：

等离子体管，其耦接至处理室；

一或多个铁氧体块，大致环绕着等离子体管；及

一或多个驱动线圈，大致环绕着一或多个铁氧体块，该方法还包含将一电偏压施加至一或多个驱动线圈。

14.如权利要求13所述的方法，其中等离子体管还包括从中央主体延伸的二个臂部分，其中每个臂的端部耦接至处理室，且其中等离子体在处理室内被点燃，并在每个臂的端部之间延伸。

15.如权利要求11所述的方法，还包含将等离子体拉引至基板以在基板上沉积一个层。