[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 200980108225.6 | 申请日: | 2009-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN101971335A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
| 发明(设计)人: | 迪特尔·艾斯勒;西格弗里德·赫尔曼 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明涉及一种发光装置。
例如像发光二极管或者激光二极管这种光电元件技术应用非常广泛。有助于促进这种元件推广的几种观点主要是其高效率和对外部负荷以及环境影响的抵抗能力。光电元件还具有很高的使用寿命。光电元件通常以在大多很窄的确定光谱范围内发射辐射的半导体芯片为基础。
本发明的目的在于,提供一种发光装置,该发光装置在强度和颜色方面显示出均匀的发射。
依据该发光装置的至少一种实施方式,该发光装置具有第一组半导体芯片。该组包括至少一个半导体芯片,优选多个半导体芯片。半导体芯片构成为工作时特别是在可见光的光谱范围内发射电磁辐射。
依据该发光装置的至少一种实施方式,该发光装置包括第二组半导体芯片,该组具有至少一个半导体芯片,优选多个半导体芯片。第二组半导体芯片也构成为工作时特别是在可见光的光谱范围内发射电磁辐射。
依据该发光装置的至少一种实施方式,该发光装置具有至少一个主发射方向。例如主发射方向是发光装置发射最高辐射功率的那个方向。如果发光装置是平面和/或平整构成的,那么主发射方向优选垂直于发光装置的表面定向。特别是主发射方向平行于外延层序,如发光装置的半导体芯片的增长方向定向。发光装置也可以具有对着相反方向的两个主发射方向。
依据该发光装置的至少一种实施方式,第二组的至少一部分半导体芯片相对于主发射方向设置在第一组半导体芯片侧向旁边。例如第一组和第二组半导体芯片设置在一个特别是垂直于主发射方向的平面上。第一组和第二组半导体芯片特别是可以安装在特别是平面构成的唯一装配面上。
依据该发光装置的至少一种实施方式,该发光装置包括第三组半导体芯片,其中,该组包括至少一个半导体芯片,特别是多个半导体芯片。第三组半导体芯片同样构成为优选在蓝色光谱范围内发射电磁辐射。
依据该发光装置的至少一种实施方式,第三组半导体芯片相对于主发射方向至少部分、优选全部设置在第一和第二组半导体芯片的下游。换句话说,主发射方向预先规定一个方向,并且相对于该方向,第三组半导体芯片跟随第一组和第二组半导体芯片。例如第三组半导体芯片垂直设置在第一组和第二组半导体芯片上面。
依据该发光装置的至少一种实施方式,每组半导体芯片构成为在彼此不同的波长范围内成对发射电磁辐射。
依据该发光装置的至少一种实施方式,由第三组半导体芯片发射的辐射具有最短的波长范围。例如第一组半导体芯片在红色光谱范围内发射,第二组半导体芯片在绿色光谱范围内发射,第三组半导体芯片在蓝色光谱范围内发射。
依据该发光装置的至少一种实施方式,由第一组和第二组半导体芯片发射的辐射至少部分进入第三组的至少一个半导体芯片内。换句话说,第三组半导体芯片至少部分设置在第一组和第二组半导体芯片的下游。也就是说,至少一部分由第一组和第二组半导体芯片产生的辐射透射过第三组的至少一个半导体芯片。
依据该发光装置的至少一种实施方式,该发光装置具有发射混合辐射的发射面。优选混合辐射为白光。
在发光装置的至少一种实施方式中,该发光装置具有第一组半导体芯片和第二组半导体芯片,其中,这些组包括至少一个半导体芯片,并且第一组以及第二组半导体芯片至少部分相对于发光装置的主发射方向在侧向并排设置。发光装置此外包括第三组半导体芯片,该组包括至少一个半导体芯片,并且第三组相对于主发射方向设置在第一组和第二组的下游。每组半导体芯片构成为在彼此不同的波长范围内特别是在可见光的光谱范围内成对发射电磁辐射。由第三组半导体芯片发射的电磁辐射在这种情况下具有最短的波长范围。由第一组和第二组半导体芯片发射的辐射至少部分进入第三组的至少一个半导体芯片内。通过发光装置的发射面发射混合辐射。
这种发光装置在强度和颜色方面可以发射均匀的混合辐射。这一点此外由此得以保证,即由第一组和第二组半导体芯片发射的辐射在第三组的至少一个半导体芯片内与该半导体芯片的辐射混合。
依据该发光装置的至少一种实施方式,各组不同的半导体芯片没有单片集成化。换句话说,第一、第二和第三组的半导体芯片成对单独加工。在不同的光谱范围内发射的半导体芯片例如不直接彼此重叠生长。因此发光装置内多个单独加工的半导体芯片组合成或排列成一种设置。
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