[发明专利]发光装置有效

专利信息
申请号: 200980108225.6 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN101971335A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 迪特尔·艾斯勒;西格弗里德·赫尔曼 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置(10),具有:

第一组(11)半导体芯片(1)和第二组(22)半导体芯片(2),其中,这些组各自包括至少一个半导体芯片(1、2),第一组(11)和第二组(12)的半导体芯片(1、2)至少部分相对于发光装置(10)的主发射方向(H)在侧向并排设置;

第三组(33)半导体芯片(3),第三组包括至少一个半导体芯片(3),并且第三组(33)相对于主发射方向(H)设置在第一组(11)和第二组(12)的下游,其中

每个组(11、22、33)的半导体芯片(1、2、3)构成为在彼此不同的波长范围内成对发射电磁辐射(L1、L2、L3),

由第三组(33)的半导体芯片(3)发射的辐射(L3)具有最短的波长范围,

由第一组(11)和第二组(22)的半导体芯片(1、2)发射的辐射至少部分进入第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)内,以及

由发光装置(10)的发射面(4)发射混合辐射(M)。

2.如权利要求1所述的发光装置(10),其中,第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)的主面(53)大于第一组(11)和第二组(22)的至少一个半导体芯片(1、2)的主面(51、52)。

3.如权利要求1或2所述的发光装置(10),其中,至少一个半导体芯片(1、2、3)具有小于或者等于20μm的厚度(D)。

4.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,每个组(11、22、33)的半导体芯片(1、2、3)电气上单独控制。

5.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,所述发光装置包括至少一个棱镜式或者截头棱锥体式构成的光学元件(6),由第一组(11)或者第二组(22)发射的辐射通过所述光学元件至少部分到达第三组(33)。

6.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,第一组(11)和第二组(22)的至少一个半导体芯片(1、2)作为倒装芯片构成,以及第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)在彼此相对的主面(53)上具有电触点。

7.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,第三组(33)包括至少两个半导体芯片(3),所述至少两个半导体芯片(3)在主发射方向(H)的方向上彼此相距并展开一个间隙(7),第一组(11)和第二组(22)的半导体芯片(1、2)处于所述间隙内。

8.如前述权利要求所述的发光装置(10),其中,所述发光装置构成为向发光装置(10)彼此相对的发射面(4)发射混合辐射(M)。

9.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,第一组(11)和第二组(22)的至少一个半导体芯片(1、2)在主发射方向(H)上观察完全由第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)覆盖。

10.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,由第一组(11)和第二组(22)的半导体芯片(1、2)发射的辐射的一部分在离开发光装置(10)之前不穿过第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)。

11.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,第一组(11)和第二组(22)各自包括至少两个半导体芯片(1、2),其中,第一组(11)的至少一个半导体芯片(1)和第二组(22)的至少一个半导体芯片(2)相对于主发射方向(H)重叠设置。

12.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,至少一个半导体芯片(1、2、3)具有棱镜式的微结构(8)。

13.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,整个发射面(4)的混合辐射(M)的CIE标准比色图表中的局部色位与色位平均值的偏差最高为0.02。

14.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,所述发光装置机械上柔性构成,并且弯曲半径小于等于5cm。

15.如前述权利要求之一所述的发光装置(10),其中,

发射面(4)至少为1cm2

光学元件(6)采用塑料膜和/或玻璃膜构成,并且在远离发射面(4)的元件底面(60)上部分具有反射层(13),

每个组(11、22、33)的半导体芯片(1、2、3)电气上单独控制,

第一组(11)和第二组(22)的至少一个半导体芯片(1、2)安装在元件底面(60)上,以及

第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)与光学元件(6)之间安装有至少一个棱镜膜(9)。

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