[发明专利]制造硅基电极的方法、硅基电极和包含这种电极的锂电池无效

专利信息
申请号: 200980106606.0 申请日: 2009-02-11
公开(公告)号: CN101981731A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 玛格达莱娜·格拉奇克;梅拉妮·阿利亚斯;索菲·马耶;塞巴斯蒂安·马丁内特 申请(专利权)人: 原子能与替代能源委员会
主分类号: H01M4/1395 分类号: H01M4/1395;H01M4/134;H01M10/0525
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;吴鹏章
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 制造 电极 方法 包含 这种 锂电池
【权利要求书】:

1.一种制造硅基电极的方法,其包括在基体上电化学沉积硅的步骤,其特征在于所述电化学沉积步骤是在含有至少一种离子液体和式SinX2n+2的硅前体的溶液中通过循环伏安法进行的电化学沉积步骤,其中X为Cl、Br或I,n等于1或2。

2.权利要求1所述的方法,其特征在于所述硅前体具有式SinCl2n+2,其中n等于1或2。

3.权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述硅前体是式为SiCl4的四氯化硅。

4.上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于所述离子液体选自N-丁基-N-甲基吡咯烷鎓双(三氟甲烷磺酰基)酰亚胺、N-乙基-N,N-二甲基-N-(2-甲氧乙基)铵双(三氟甲烷磺酰基)酰亚胺和N-甲基-N-丙基哌啶鎓双(三氟甲基烷磺酰基)酰亚胺。

5.上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于所述基体由导电材料制成,所述导电材料对相对于KCl饱和甘汞电极直至-4V的电位是稳定的。

6.上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于所述基体由选自铜、镍、不锈钢、玻璃态碳、石墨、和基于石墨和/或炭黑和/或碳纳米管的复合材料的材料制成。

7.上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于所述基体是铜基体。

8.一种电极,其包括覆盖有硅膜的基体,所述电极可通过权利要求1至7中任一项所述的方法来获得,其特征在于所述硅膜由非晶硅纳米颗粒形成。

9.一种锂电池,其特征在于包括权利要求8所述的电极。

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