[发明专利]微细构造的制作方法以及具备微细构造的基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种在表面具有原子台阶、特别是具有相互平行的直线状的原子台阶的基板上制作出由沿着原子台阶延伸的线状要素构成的微细构造的方法，以及具备这种微细构造的基板。本发明还涉及在基板表面上制作出含有凸条的微细构造的方法，以及具备这种微细构造的基板。

背景技术

以往，通过采用朗缪尔-布劳杰特法(Langmuir-Blodgett、简称LB法)等方法使多肽等微小物质在基板上有规则地排列，在基本上制作出微细秩序构造的技术是公知的(例如参照专利文献1)。这样在基板上制作出的微细秩序构造例如通过将其用作铸模而与物理结构上稳定的原材料、例如上述基板进行负片拷贝，提供能够适用于各种各样的产业用途上的材料，产业上的利用性高。

但是，在现有的制作出微细秩序构造的技术的情况下，微小物质在基板上规则地排列的领域大多仅限于基板上的很少一部分。即，在现有技术中，再现性良好地得到大面积的微细秩序构造并不容易。因此，对于将在基板上制作出的微细秩序构造例如负片拷贝在基板上而得到的微细秩序构造，目前再现性良好地得到大面积的微细秩序结构并不容易。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种用于在基板上制作出由沿着规定方向高精度地延伸的线状要素构成的微细构造的方法以及具备这种微细构造的基板。而且，本发明的另一目的在于提供一种用于在基板表面上制作出含有沿着规定方向高精度地延伸的凸条的微细构造的方法以及具备这种微细构造的基板。

为了实现上述目的，在本发明的第1技术方案中提供一种在基板上制作出微细构造的方法。该方法包括：准备表面具有原子台阶的基板的工序；以及通过将线状要素赋予基板上，使线状要素沿着基板表面的原子台阶延伸地取向，从而在基板上形成由沿着原子台阶延伸的线状要素构成的微细构造的工序。

在本发明的第2技术方案中提供一种基板，表面具有原子台阶，并且在基板上设有由沿着原子台阶延伸的线状要素构成的微细构造。

在本发明的第3技术方案中提供一种在基板表面上制作出微细构造的方法。该方法包括：准备表面具有原子台阶的基板的工序；通过将线状要素赋予基板上，使线状要素在基板上沿着基板表面的原子台阶延伸地取向的工序；通过相对于在其上取向有线状要素的基板进行离子照射，在基板表面产生晶格缺陷层的工序，被线状要素掩盖的基板表面的第1部分与未被线状要素掩盖的基板表面的第2部分相比，因离子照射所产生的晶格缺陷层的厚度减小；以及通过对离子照射后的基板表面进行研磨而除去因离子照射而在基板表面上产生的晶格缺陷层的工序，通过在基板表面的上述第1部分处与上述第2部分处晶格缺陷层的厚度不同，在研磨后的基板表面得到由与上述第1部分相对应的凸条和与上述第2部分相对应的凹条构成的微细构造。

在本发明的第4技术方案中提供一种基板，在基板表面的至少1μ见方的区域的整体上具备重复的宽度为2～20nm的凸条。

附图说明

图1是本发明的一实施方式中作为单位要素的优选例的缩氨酸分子的模式图。

图2是通过图1的缩氨酸分子形成逆平行β片状构造而得到的缩氨酸纤维的模式图。

图3A是超平坦化的碳化硅基板Si面的原子力的显微镜照片。

图3B是超平坦化的碳化硅基板C面的原子力的显微镜照片。

图4是示意表示在C面上具备由图2的缩氨酸纤维构成的微细构造的碳化硅基板的剖视图。

图5是从C面一侧观察图4的碳化硅基板并进行摄影的原子力的显微镜照片。

图6是示意表示相对于图4的碳化硅基板进行离子照射的样子的剖视图。

图7是示意表示相对于图4的碳化硅基板进行离子照射，然后通过研磨除去了C面的晶格缺陷层后的碳化硅基板的剖视图。

图8是图7的碳化硅基板研磨后的C面原子力的显微镜照片。

具体实施方式

以下，对本发明的一实施方式进行说明。

在本实施方式中，能够相互会合并线状生长的单位要素赋予基板上。作为在此使用的单位要素的典型例子，可列举出能够形成β片状构造的缩氨酸分子。这种缩氨酸分子作用能够形成β片状构造，则不受氨基酸排列的内容、氨基酸残基的数量、氨基酸侧链的种类等限定。在β片状构造中，相邻的缩氨酸分子彼此通过一侧的缩氨酸分子的主链的N-H基的氢原子与另一侧的缩氨酸分子的主链的C＝O基的氧原子相互氢结合而相互平行或者逆平行地结合。