[发明专利]具有电力产生黑色掩模的装置及其制造方法有效
申请号: | 200980105129.6 | 申请日: | 2009-02-05 |
公开(公告)号: | CN101952763A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 约恩·比塔;王春明;徐刚 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电力 产生 黑色 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明的领域涉及微机电系统(MEMS)。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器及电子元件。可使用沉积、蚀刻及/或其它蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加若干层以形成电气及机电装置的微机械加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称作干涉式调制器。如本文中所使用,术语“干涉式调制器”或“干涉式光调制器”指代使用光学干涉的原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在某些实施例中,干涉式调制器可包含一对导电板,所述对导电板中的一者或两者可为完全或部分透明及/或反射的,且能够在施加适当电信号后即进行相对运动。在特定实施例中,一个板可包含沉积于衬底上的静止层,且另一板可包含通过气隙与所述静止层分离的金属膜。如本文中更详细地描述,一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。所述装置具有广泛范围的应用,且在此项技术中利用及/或修改这些类型的装置的特性以使得可采用其特征来改进现有产品及产生尚未开发的新产品将是有益的。
发明内容
在一个实施例中,一种电子装置包含包括多个光学显示元件的显示区域及沉积于所述显示区域的在所述光学显示元件之间的区域中的光伏黑色掩模,其中所述光伏黑色掩模包含至少一个经配置以吸收光的层及至少一个经配置以产生电力的层。
在另一实施例中,一种制造光伏黑色掩模的方法包含:在衬底上方沉积抗反射层;在所述抗反射层上方沉积第一电极;在所述第一电极层上方沉积半导体层;在所述半导体层上方沉积第二电极;及对抗反射层、第一电极层、半导体层及第二电极层的一部分进行图案化。
在另一实施例中,一种电子装置包含包括多个光学显示元件的显示区域、用于吸收光的装置及用于产生电力的装置,其中所述吸收装置及所述电力产生装置沉积于所述显示区域的在所述光学显示元件之间的区域中。
附图说明
图1为描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等距视图,其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置中且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置中。
图2为说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3为图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动反射镜位置与施加电压的图。
图4为可用来驱动干涉式调制器显示器的一组行及列电压的说明。
图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的一个示范性显示数据帧。
图5B说明可用来写入图5A的帧的行及列信号的一个示范性时序图。
图6A及6B为说明包含多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统框图。
图7A为图1的装置的横截面。
图7B为干涉式调制器的替代性实施例的横截面。
图7C为干涉式调制器的另一替代性实施例的横截面。
图7D为干涉式调制器的又一替代性实施例的横截面。
图7E为干涉式调制器的额外替代性实施例的横截面。
图8A为说明含有多个光学显示元件中所包括的结构的非有源区域的干涉式调制器阵列的一部分的俯视图。
图8B为说明含有多个光学显示元件中所包括的结构的非有源区域的干涉式调制器阵列的一部分的顶部正视图。
图9展示穿过根据一个实施例的具有掩模或吸光区的MEMS装置的横截面。
图10说明根据一实施例的电力产生黑色遮蔽。
图11A-11G说明根据一实施例的电力产生黑色掩模的制造方法。
图12A-12B说明根据另一实施例的电力产生黑色掩模。
图13说明根据另一实施例的串联连接的电力产生黑色掩模。
图14A为说明由电力产生黑色掩模的实施例反射及吸收的光量的曲线图。
图14B为说明电力产生黑色的实施例的层的材料及厚度的表。
具体实施方式
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