[发明专利]具有电力产生黑色掩模的装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，其包含：

显示区域，其包含多个光学显示元件，及

光伏黑色掩模，其沉积于所述显示区域的所述光学显示元件之间的区域中且定位于衬底与所述光学显示元件之间，其中所述光伏黑色掩模包含：

至少一个经配置以吸收光的层，及

至少一个经配置以产生电力的层。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光伏黑色掩模占所述显示区域的至少10％。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光伏黑色掩模包含：

沉积于衬底上方的抗反射层，

沉积于所述抗反射层上方的第一电极层，

沉积于所述第一电极层上方的半导体层，及

沉积于所述半导体层上方的第二电极层。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述抗反射层包含至少一个材料层。

5.根据权利要求3所述的电子装置，其中：

所述光伏黑色掩模经图案化以使得穿过所述第二电极层及所述半导体层形成到达所述第一电极层的开口，

绝缘体定位于所述第二电极层及半导体层上方，且

所述绝缘体经图案化以使得穿过所述绝缘体形成到达所述第二第一电极层的开口。

6.根据权利要求3所述的电子装置，其中：

绝缘体定位于所述第二电极层上方，且

所述光伏黑色掩模经图案化以使得穿过所述绝缘体形成到达所述第二电极层的开口。

7.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述光伏黑色掩模被图案化成离散区段。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述区段中的所述电极被串联或并联连接。

9.一种制造光伏黑色掩模的方法，所述方法包含：

在衬底上方沉积抗反射层；

在所述抗反射层上方沉积第一电极；

在所述第一电极层上方沉积半导体层；

在所述半导体层上方沉积第二电极；及

对所述抗反射层、所述第一电极层、所述半导体层及所述第二电极层的一部分进行图案化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述抗反射层包含至少一个材料层。

11.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包含在所述第一电极层、所述半导体层及所述第二电极层的一部分上方沉积平面化层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电极为透明的。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述平面化层被配置为电绝缘的。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述平面化层被配置为透明的。

15.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包含：

对所述第二电极层及所述半导体层进行图案化以使得形成到达所述第一电极层的开口，

在所述第一电极层、所述第二电极层及所述半导体层上方沉积电绝缘平面化层，及

对所述平面化层进行图案化以使得穿过所述平面化层形成到达所述第一电极层的开口。

16.根据权利要求11所述的方法，所述方法进一步包含：

对所述平面化层进行图案化以使得形成到达所述第二电极层的开口。

17.一种电子装置，其包含：

显示区域，其包含多个光学显示元件；

用于吸收光的装置；及

用于产生电力的装置；

其中所述吸收装置及所述电力产生装置沉积于所述显示区域的所述光学显示元件之间的区域中。