[发明专利]太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件

权利要求书

1.一种太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，具备：

准备形成有透明导电膜的透明基板的工序、

在所述透明导电膜上附着n型掺杂剂的工序、

在所述透明导电膜上依次形成p型层、i型层、及n型层的工序。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，

在所述透明导电膜上附着所述n型掺杂剂的工序具有：

使n型掺杂剂供给气体等离子化的工序、

将所述等离子化的n型掺杂剂附着在所述透明导电膜上的工序。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，

所述n型掺杂剂供给气体为用H₂气对PH₃气进行了稀释的气体。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，

还具有在等离子CVD装置内的托盘上配置所述透明基板的工序，

使所述n型掺杂剂附着在所述透明导电膜上的工序具有：

在没有被所述透明基板覆盖的所述托盘的区域载置磷供给源的工序、

利用在形成所述p型层时产生的等离子气体对所述磷供给源进行蚀刻的工序、

在形成所述p型层时，使所述等离子气体中含有磷的工序、

在所述透明导电膜上附着磷的工序。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，所述磷供给源为设置于没有被所述透明基板覆盖的所述托盘的区域的含磷部件。

6.根据权利要求4所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，所述磷供给源为掺杂磷的非晶质系硅。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，具有如下工序，即，使磷附着在所述透明导电膜上作为所述n型掺杂剂，将基于所述太阳能电池元件的深度方向的浓度分布而确定的、所述i型层中的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav设定为

1.1×10¹⁷(cm^-3)≤ΔCav≤1.6×10¹⁷(cm^-3)。

8.一种太阳能电池元件的制造方法，通过在等离子CVD装置内的托盘上配置形成有第一透明导电膜的第一透明基板的工序、将n型掺杂剂附着在所述第一透明导电膜和没有被所述第一透明基板覆盖的所述托盘的区域的工序、在所述第一透明导电膜上依次形成p型层、i型层、及n型层的工序，来制造第一太阳能电池元件，然后，

通过以下工序制造第二太阳能电池元件，即：

准备形成有第二透明导电膜的第二透明基板的工序、

将所述第二透明基板配置于所述托盘上的工序、

在所述第二透明导电膜上，使用由在形成所述第一太阳能电池元件的n型层时附着于没有被所述第一透明基板覆盖的所述托盘的区域的非晶质系硅构成的n型层，来使n型掺杂剂附着的工序、

在所述第二透明导电膜上依次形成p型层、i型层、及n型层的工序。

9.一种太阳能电池元件，其特征在于，具备：透明基板、形成于所述透明基板上的透明导电膜、在所述透明导电膜上层叠形成的均由非晶硅构成的p型层、i型层、及n型层、形成于所述n型层上的导电体层，

基于所述太阳能电池元件的深度方向的浓度分布而确定的、所述i型层中的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为：

1.1×10¹⁷(cm^-3)≤ΔCav≤1.6×10¹⁷(cm^-3)。