[发明专利]中介层基板以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 200980101282.1 申请日: 2009-09-09
公开(公告)号: CN101889341A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 岭岸瞳;瓜生一英;山田彻 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 中介 层基板 以及 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及具有中介层基板和安装在该中介层基板上的半导体元件的半导体装置、以及该中介层基板。

背景技术

近年来,在BGA(Ball Grid Array)或CSP(Chip Size Package)等多端子的封装中,已经可以安装半导体装置。在这种半导体装置(一般也称为半导体封装)中,半导体元件安装在中介层基板(一般也称为中介层)上,而且,中介层基板安装在母基板(一般也称为母板)等基板上。

图19是安装了半导体元件102的现有技术中的中介层基板104P的俯视图。在图19中,半导体元件102具有多个端子121。在中介层基板104P的表面上形成有多个连接端子141(一般也称为输入输出端子或电极焊盘),半导体元件102的各端子121和中介层基板104P的各连接端子141经由引线151被电连接。并且,虽然在图19中,各端子121和各连接端子141是通过引线接合(wire bonding)而连接的,但有时也利用焊凸(bump)进行连接。

另外,在中介层基板104P的表面上形成有连接布线导体142。各连接布线导体142的一端与1个连接端子141连接,另一端与在中介层基板104P上形成的通孔(via)导体144中的1端连接。而且,各通孔导体144的另一端与在中介层基板104P的背面或内部形成的布线电连接。并且,在中介层基板104P的背面或内部形成的布线经由焊球等与主基板的电极焊盘电连接。

在此,一般来讲,使用电解镀对中介层基板104P上的各连接端子141实施镀贵金属(例如,镀金)处理。在进行该镀贵金属处理时,经由在中介层基板104P上形成的布线,从中介层基板104P的外缘部向各连接端子141通电。在通电后,用于通电的布线的一部分作为连接各连接端子141和各通孔导体144的连接布线导体142使用,其余的部分作为从各通孔导体144向中介层基板104P的外缘部延伸的电镀短线(plating stub)导体145(plating stub conductor。一般来讲,也称为镀线)残留。即,各电镀短线导体145的一端与通孔导体144连接,另一端为开放端,在中介层基板104P的外缘部形成开放端部。

中介层基板104P上的电镀短线导体145会给经由连接布线导体142传输的传输信号的波形带来不好的影响,这是众所周知的。例如,专利文献1提出了以下课题:向与电镀短线导体连接的连接布线导体中输入的输入信号和该输入信号在电镀短线导体的开放端反射的反射信号发生干扰,输入信号出现波形失真。为了解决该课题,专利文献1中提出了去掉电镀短线导体的残留的方案。另外,为了解决同样的课题,专利文献2提出了将电镀短线导体与终端电阻连接的方案。

专利文献1:JP特开昭64-50450号公报

专利文献2:JP特开2005-328032号公报

但是,在电子设备中,所传输的信号的高速化不断发展,已经实现了具有千兆赫兹的频率的高频信号的传输。另一方面,关于IC(Integrated Circuit)本身,以系统LSI(Large ScaleIntegration)为代表,多功能化、模块化以及高密度化日趋进步。在进行了高密度安装、并且处理高频信号的半导体装置中,可能会出现与上述专利文献1以及2所指出的课题完全不同的问题。

半导体元件102的微细化以及多端子化不断发展,因此,在图19的半导体元件102中形成的多个端子121的密集化也在进步。中介层基板104P上的各连接端子141与各端子121对应,以较小的间距设置。而且,连接布线导体142是以越远离连接端子141则各连接布线导体142之间的间隔变得越宽的方式形成的。在此,一般来讲,与各连接布线导体142的另一端连接的各通孔导体144的外径比各连接布线导体142的宽度大。在图19中,为了使中介层基板104P更小型化,与相邻的连接布线导体142连接的通孔导体144的位置被相互错开,以便离中介层基板104P的外缘部的距离彼此不同。

如上所述,通过对中介层基板104P进行空间上的限制,各连接布线导体142的长度各不相同,各连接布线导体142的电阻也互不相同。因此,在半导体元件102和母基板之间,经由中介层基板104P收发的多个传输信号的传输时间互不相同。

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