[发明专利]太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

实施方式涉及太阳能电池、用于形成太阳能电池的发射极层的方法和用于制造太阳能电池的方法。

背景技术

近来，由于认为如石油和煤这样的现有能源将会枯竭，因此替代这些能源的另选能源越来越受到关注。在这些另选能源中，太阳能电池尤其受到关注，因为作为从太阳能产生电能的电池，太阳能电池能够从充足的源吸取能量，并且不会造成环境污染。

通常的太阳能电池包括由具有不同的导电类型(如p型和n型)的半导体制成的基板和发射极层、以及分别在基板和发射极层上形成的电极。通常的太阳能电池还包括在基板和发射极层之间的界面形成的p-n结。

当光入射在太阳能电池上时，在半导体中产生多个电子-空穴对。通过光电伏打效应，这些电子-空穴对分别被分成电子和空穴。因此，分离出的电子朝向n型半导体(如，发射极层)移动，而分离出的空穴朝向p型半导体(如，基板)移动，然后，分别由电连接到发射极层和基板的电极来收集电子和空穴。电极使用电线而互相连接，从而获得电能。

发明内容

技术问题

实施方式的动机是通过简化太阳能电池的制造处理来降低太阳能电池的制造成本。

实施方式的另一个动机是通过简化太阳能电池的制造处理来提高太阳能电池的生产效率。

技术方案

根据本发明的实施方式，一种太阳能电池的发射极层的形成方法包括以下步骤：制备包括第一导电类型的第一杂质的基板；在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质，以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分；并且选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分，以形成第二发射极部分。

根据本发明的另一个实施方式，一种太阳能电池的制造方法包括以下步骤：形成所述太阳能电池的发射极层；形成连接到所述第一发射极部分和所述第二发射极部分的第一电极、和连接到所述基板的第二电极，其中，所述第一电极包括沿所述第二发射极部分形成的至少一个指电极、和与所述至少一个指电极交叉并连接到所述至少一个指电极的至少一个总线电极。

所述至少一个电极可以包括指电极和总线电极，并且所述第二发射极部分形成在所述指电极的下方。

所述第一发射极部分的形成步骤可以包括以下步骤：在扩散炉中提供所述第二导电类型的杂质气体，以使得所述杂质气体中包括的杂质在所述基板中扩散，从而形成所述第一发射极部分；并且在所述基板上产生包括所述杂质的绝缘层。

所述第一发射极部分的形成步骤可以包括以下步骤：在所述基板上涂布包括所述第二导电类型的杂质的杂质源，或者在所述基板上印刷包括所述第二导电类型的所述杂质的掺杂糊；并且加热涂布有所述杂质源或印刷有所述掺杂糊的所述基板，以使得所述杂质在所述基板中扩散，从而形成所述第一发射极部分，并在所述第一发射极部分上产生包括所述杂质的绝缘层。

所述绝缘层可以是PSG(磷硅酸玻璃)。

所述第二发射极部分的形成步骤可以包括以下步骤：在所述绝缘层上照射激光束，从而加热所述第一发射极部分的位于所述绝缘层的被照射所述激光束的部分下方的部分。

所述激光束可以具有比所述至少一个电极的宽度大的照射宽度。

可以通过改变所述激光束的发射位置和改变所述基板的位置中的至少一种来移动所述激光束的照射位置。

所述第二发射极部分可以具有比所述第一发射极部分的薄层电阻(sheet resistance)小的薄层电阻。

所述第二发射极部分可以具有比所述第一发射极部分的杂质浓度大的杂质浓度，并且/或者所述第二发射极部分可以具有比所述第一发射极部分的杂质掺杂深度大的杂质掺杂深度。

选择性加热步骤包括沿着所述至少一个指电极的延伸方向用至少一个激光束照射所述基板。

可以在所述基板的光接收表面上形成所述第一发射极部分和所述第二发射极部分，并且所述第二电极形成在所述基板的与所述光接收表面相对的表面上。

该方法还可以包括以下步骤：在形成所述第二发射极部分之后去除所述绝缘层。

该方法还可以包括以下步骤：在所述第一发射极部分和所述第二发射极部分上形成防反射层。

所述第一电极和第二电极的形成步骤可以包括以下步骤：在对应于所述第二发射极部分的所述防反射层上涂布第一电极糊，以形成所述至少一个指电极的图案，并对具有所述至少一个指电极的所述图案的所述基板进行加热。

所述至少一个指电极的所述图案的形成步骤可以包括以下步骤：连同所述至少一个指电极的所述图案一起，形成与所述至少一个指电极的所述图案交叉的至少一个总线电极的图案。