[发明专利]太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的发射极层的形成方法，该方法包括以下步骤：

制备包括第一导电类型的第一杂质的基板；

在所述基板中扩散与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质，以在所述基板中形成所述发射极层的第一发射极部分；以及

选择性地加热所述第一发射极部分的与用于形成至少一个电极的位置相对应的部分，以形成第二发射极部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个电极包括指电极和总线电极，并且所述第二发射极部分形成在所述指电极的下方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射极部分的形成步骤包括以下步骤：

在扩散炉中提供所述第二导电类型的杂质气体，以使得所述杂质气体中包括的杂质在所述基板中扩散，从而形成所述第一发射极部分；以及

在所述第一发射极部分上产生包括所述杂质的绝缘层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层是PSG(磷硅酸玻璃)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射极部分的形成步骤包括以下步骤：

在所述基板上涂布包括所述第二导电类型的杂质的杂质源，或者在所述基板上印刷包括所述第二导电类型的杂质的掺杂糊；以及

加热涂布有所述杂质源或印刷有所述掺杂糊的所述基板，以使得所述杂质在所述基板中扩散，从而形成所述第一发射极部分，并在所述第一发射极部分上产生包括所述杂质的绝缘层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述绝缘层是PSG(磷硅酸玻璃)。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二发射极部分的形成步骤包括以下步骤：在所述绝缘层上照射激光束，从而加热所述第一发射极部分的位于所述绝缘层的被照射所述激光束的部分下方的部分。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二发射极部分的形成步骤包括以下步骤：在所述绝缘层上照射激光束，从而加热所述第一发射极部分的位于所述绝缘层的被照射所述激光束的部分下方的部分。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述激光束具有比所述至少一个电极的宽度大的照射宽度。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述激光束具有比所述至少一个电极的宽度大的照射宽度。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，通过改变所述激光束的发射位置和改变所述基板的位置中的至少一方，来移动所述激光束的照射位置。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，通过改变所述激光束的发射位置和改变所述基板的位置中的至少一方，来移动所述激光束的照射位置。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二发射极部分具有比所述第一发射极部分的薄层电阻小的薄层电阻。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二发射极部分具有比所述第一发射极部分的杂质浓度大的杂质浓度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二发射极部分具有比所述第一发射极部分的杂质掺杂深度大的杂质掺杂深度。

16.一种太阳能电池的制造方法，该方法包括以下步骤：

如权利要求1所述地形成所述太阳能电池的所述发射极层；

形成连接到所述第一发射极部分和所述第二发射极部分的第一电极、以及连接到所述基板的第二电极，

其中，所述第一电极包括沿所述第二发射极部分形成的至少一个指电极、以及与所述至少一个指电极交叉并连接到所述至少一个指电极的至少一个总线电极。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，选择性加热步骤包括沿着所述至少一个指电极的延伸方向用至少一个激光束照射所述基板。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述基板的光接收表面上形成所述第一发射极部分和所述第二发射极部分。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述基板的与所述光接收表面相对的表面上形成所述第二电极。

20.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：在形成了所述第二发射极部分之后去除所述绝缘层。