[发明专利]耐水性偏光膜的制造方法有效
| 申请号: | 200980101016.9 | 申请日: | 2009-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN101861536A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
| 发明(设计)人: | 宫崎顺三;松田祥一;西口恭子 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;C09B31/08 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 耐水性 偏光 制造 方法 | ||
1.一种耐水性偏光膜的制造方法,所述制造方法包括下述工序,即,使包含具有2个以上磺酸基或磺酸盐基的有机色素的偏光膜的至少一侧的表面与包含2价阳离子的液体接触而进行耐水化处理的工序,其特征在于,所述耐水化处理前的所述有机色素为下述通式(1)或(2)所示的偶氮化合物,
[化学式1]
[化学式2]
在式(1)和(2)中,Q1和Q2表示可具有取代基的芳基;R表示氢原子、碳原子数1~3的烷基、乙酰基、苯甲酰基或可具有取代基的苯基;m表示0~5的整数,n表示0~5的整数,其中,m+n≤5,且m、n中的至少一个不为0;k表示0~5的整数,l表示0~5的整数,其中,k+l≤5,且k、l中的至少一个不为0;M表示提供1价阳离子的元素。
2.根据权利要求1所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述偶氮化合物为下述通式(3)或(4)所示的偶氮化合物,
[化学式3]
[化学式4]
在式(3)和(4)中,X表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、碳原子数1~4的烷基、碳原子数1~4的烷氧基或-SO3M基,R表示氢原子、碳原子数1~3的烷基、乙酰基、苯甲酰基或可具有取代基的苯基,M表示提供1价阳离子的元素。
3.根据权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述2价阳离子的离子半径为0.05nm~0.2nm。
4.根据权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述包含2价阳离子的液体中的、提供所述2价阳离子的离子化合物的浓度为1%~40%。
5.根据权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述包含2价阳离子的液体的液体温度为5℃~60℃。
6.根据权利要求1或2所述的耐水性偏光膜的制造方法,其特征在于,所述包含2价阳离子的液体为氯化钡水溶液。
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