[发明专利]溅射用靶、薄膜的制造方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种由含有微量碳原子的硼化镧化合物的烧结体形成的靶、单晶性薄膜的制造方法、电子源以及显示装置。

背景技术

如专利文献1、2以及3所记载那样，作为二次电子产生膜已知LaB₆等硼化镧化合物的薄膜。另外，如专利文献1、2以及3所记载那样，还已知使用溅射法来成膜硼化镧化合物的结晶性薄膜。并且，如专利文献4所记载那样，还已知作为上述溅射法所使用的靶，使用LaB₆等硼化镧化合物的烧结体。

专利文献

专利文献1：日本特开平1-286228号公报

专利文献2：日本特开平3-232959号公报

专利文献3：日本特开平3-101033号公报

专利文献4：日本特开平6-248446号公报

然而，在将利用以往的使用了靶的溅射装置、溅射方法来成膜的硼化镧化合物薄膜应用于二次电子源膜时，作为二次电子源膜的电子产生效率不充分。

特别是，现状是，在将由LaB₆等硼化镧化合物形成的薄膜使用于FED(Field Emission Display：场发射显示器)、SED(Surface-Conduction Electron-emitter Display：表面传导电子发射显示器)的情况下，作为显示装置得不到充分的亮度。

根据本发明人的研究，上述问题点的原因在于没有充分进行由硼化镧化合物形成的薄膜的晶体生长。特别是，在10nm以下的极薄膜厚的情况下，广域畴(large-area domain)方向的单晶性不充分，没有通过晶界形成广域畴。

另外，根据本发明人的研究发现，通过改善广域畴方向的单晶性，能够大幅改善二次电子产生效率，特别是，在FED、SED那样的电子产生装置中能够使亮度改善。亮度的改善使得FED、SED的阳极电压降低，并且，与可使用的荧光体的可使用范围或者其选择范围的扩大相关联。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种在成膜LaB₆等硼化镧化合物的薄膜时能够改善广域畴方向的单晶性的制造装置以及其制造方法。

本发明的其他目的在于，提供一种产生经改善的亮度的电子源显示装置。

本发明首先提供一种溅射用靶，其特征在于，其为含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的烧结体(下面，称为“B-La-C烧结体”)。

本发明其次是提供一种薄膜的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通过使用了含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的溅射用靶的溅射法，成膜含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。

本发明第三点是提供一种薄膜的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通过使用了含有硼原子(B)以及镧原子(La)的溅射用靶的、在存在碳源气体条件下的溅射法，成膜含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。

本发明第四点是提供一种电子源，该电子源具有含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。

本发明第五点是提供一种显示装置，该显示装置具备电子源，该电子源具有含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。

根据本发明，能够使LaB₆等硼化镧化合物的结晶性薄膜含有碳原子，由此，改善利用该结晶性薄膜得到的二次电子产生效率。另外，根据本发明，FED、SED显示装置的亮度得到改善。

附图说明

图1是表示用于本发明的薄膜制造方法中的磁控溅射装置的第一例的示意图。

图2是本发明的电子产生装置的概略剖面图。

图3是含有微量碳的LaB₆薄膜的放大剖面图，(a)是本发明的含有微量碳的LaB₆薄膜，(b)是本发明外的LaB₆薄膜。

图4是表示使用于本发明的薄膜制造方法中的磁控溅射装置的第二例的示意图。

图5是表示用于本发明的薄膜制造方法中的磁控溅射装置的第三例的示意图。

附图标记说明